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IPA60R385CP CoolMOS® Power Transistor Features V )DL : H ; G > V 2 A 6 A L 9 C : H = L H E >: ; Parameter DC IC J J 9> 9: ; G 6G 8 G: C I > DH D D L 9 J G +# !> 9: EJH 8 G: C I D A: J G ,# / : K G : 9> 9: 9v (Ut .# :H D Symbol Conditions IL I L%af]dV Uv (Ut T I : J I > 6: 1 =: G 6A : HH6C 8 ? C 8DC B G >I : J I > R^SZV_e R eYC< R eYC9 ]VRUVU & & & & 1) D(P 0 DA : GC < I B E: G I G 9> : 6 J: T d`]U L 6K H A : GC < DC A 6A L : 9 6IA 69H : D9 > NA D :   B B     >  C ;DB 8 H ; G H G 6: D & & +/) u< Electrical characteristics, 6IT [   Y J A H DI : G > : H : 8> 9 C : H = L H E >: ; Static characteristics !G > H J 8 7G 6@ DL C K A 8 6G : : D 6C = < $ 6I 8 6G : I I A : = < D6 $ 6I EA I 6J K A 9: ; G 6G K A / : K G : G 8 K G 8 6G : : H : D: N = < - : 6@G K G : G 8 K G 8 G: C I : : H : D : N JG *# & V ==  3 I =    V @L I  3 D & & & / *0 .') & & ++ & _< O V L= t cc Q cc I cc^ V @L 3 I ?    T [   Y & & )'2 +/) ,'* +- *'+ & & & O _d w< 9 V K  3 I ?6I L Ui ?(Ut    [ H & & ' 0 1 ! 6C 9 ' " 0 !  )> >: 9 DC A 7N B 6M> J I B E: G I G BI N BB: 6 J: - JH L > I t a A >: 9 7NT [%^Ri A: 9= > I B / : E: IIK 6K A C 8 : 8 J : H699>> C 6A DL : GA H : HI 6I8 C 7: 8 AJ6I 9 6HP 9O6E 9K$f. >> : 66 = 6 H ID E DH = 6 6 8A : &L="B= 9>9I   [ H 3 " = 6 ;M: 9 8 E686C 8 I 6I : HI : H B : HDG 9 : C : G N 6HC `dd L => V =L > GHC < ;DB I   V =LL' H> 6 > := I K=6 I: < A : H >> G D C `"ec# > 6 ;M: 9 8 E686C 8 I 6I : HI : H B : 8 6G > < IB : 6HC `dd L => V =L > GHC < ;DB I   V =LL' H> 6 > := I K=6 = A : H >> G D 0# / : K    E6I B I: cVdZdeR_TV 30  [H 25 10 1  [H P tot [W] 20  [H I D [A] BH 15 100 10 =<  B H 5 0 0 40 80 120 160 10 -1 100 101 102 103 T C [°C] V DS [V] 3 Max. transient thermal impedance Z eYC