SPB02N60C3_07

厂商：
INFINEON
封装：
描述：
SPB02N60C3_07 - Cool MOS Power Transistor - Infineon Technologies AG

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SPB02N60C3_07 数据手册

VDS • • • • • Tjmax Ω G G TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage static VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt 6) dv/dt 15 V/ns ± Tjmax Rev. 2.4 P 7 02-14 V DS Tj RthJC RthJA reflow soldering, MSL1 6 V(BR)DSS V GS V GS µΑ VGS V DS V DS Tj Tj V GS V GS Tj Tj VDS VGS Ω RG Rev. 2.4 P 7 02-14 Tj Transconductance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance g fs Ciss Coss Crss V DS≥ V GS f V DS V GS V DS Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time td(on) tr td(off) tf V DD V GS RG Ω Gate to source charge Gate to drain charge Qgs Qgd V DD V DD V GS V DD EAR f Coss Coss VDS VDS 6I

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SPB02N60C3_07

1. 物料型号： - 型号为SPB02N60C3。

2. 器件简介： - SPB02N60C3是一款Cool MOS™ Power Transistor，具有以下特性： - 新革命性高压技术； - 超低栅极电荷； - 周期性雪崩额定； - 极端dv/dt额定； - 超低有效电容； - 根据EDEC标准针对目标应用进行合格认证。

3. 引脚分配： - 封装形式为PG-TO263。

4. 参数特性： - 最大额定值和热特性、电气特性在PDF文档中有所描述，例如： - 反向恢复时间（trr）：200ns至350ns； - 反向恢复电荷（Qrr）：1.3nC； - 阈值电压（Vth）：2.4V至2.6V。

5. 功能详解： - 包括功率耗散、安全工作区、瞬态热阻抗、输出特性、阈值电压、导通电阻、开关特性、雪崩SOA、雪崩能量和雪崩功率损耗等详细图表和参数。

6. 应用信息： - 该型号适用于需要高电压技术和低栅极电荷的应用，例如电源转换、电机控制和太阳能逆变器等。

7. 封装信息： - 提供了PG-TO263-3-2/ PG-TO263-3-5/ PG-TO263-3-22封装选项。

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