SPD02N60C3_08

厂商：
INFINEON
封装：
描述：
SPD02N60C3_08 - Cool MOS Power Transistor - Infineon Technologies AG

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SPD02N60C3_08 数据手册

VDS • • • • • G Tjmax Ω G G G TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage static VGS VGS Ptot ± Tjmax Reverse diode dv/dt 5) dv/dt 15 V/ns Rev. 2.5 P 8 04-07 V DS Tj RthJC RthJA *) V(BR)DSS VGS VGS µΑ VGS VDS VDS Tj Tj VGS VGS Tj Tj VDS VGS Ω RG *) TO252: reflow soldering, MSL3; TO251: wavesoldering Rev. 2.5 P 8 04-07 Tj Transconductance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance g fs Ciss Coss Crss V DS≥ V GS f V DS V GS V DS Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time td(on) tr td(off) tf V DD V GS RG Ω Gate to source charge Gate to drain charge Qgs Qgd VDD VDD VGS VDD EAR f Coss Coss VDS VDS 5I

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SPD02N60C3_08

1. 物料型号： - SPD02N60C3 和 SPU02N60C3

2. 器件简介： - Cool MOS™ Power Transistor，具有新革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端di/dt额定、超低有效电容和无铅引脚镀层；符合RoHS标准。

3. 引脚分配： - SPD02N60C3: PG-TO252封装，订货代码Q67040-S4420，标记为02N60C3。 - SPU02N60C3: PG-TO251封装，标记为02N60C3。

4. 参数特性： - 漏源电压（Vps @ Timax）：650V - 静态漏源电阻（Ros(on)）：3Ω - 漏极电流（D）：1.8A

5. 功能详解： - 器件符合JEDEC标准，适用于目标应用。

6. 应用信息： - 适用于需要高电压技术、超低栅极电荷等特性的应用场合。

7. 封装信息： - 提供了PG-TO251和PG-TO252两种封装方式的详细尺寸信息，包括最小值、最大值、英寸和毫米单位。

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