SPP20N60S5_01

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INFINEON
封装：
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SPP20N60S5_01 - Cool MOS™ Power Transistor - Infineon Technologies AG

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SPP20N60S5_01 数据手册

Preliminary data SPP20N60S5 SPB20N60S5 Cool MOS™=Power Transistor •=New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge •=Improved periodic avalanche rating • Extreme dv/dt rated •=Optimized capacitances •=Improved noise immunity •=Former development designation: SPPx1N60S5/SPBx1N60S5 C OLMOS O Power Semiconductors Product Summary VDS @ Tjmax RDS(on) ID P-TO263-3-2 650 0.19 20 V Ω A P-TO220-3-1 Type SPP20N60S5 SPB20N60S5 Package P-TO220-3-1 P-TO263-3-2 Ordering Code Q67040-S4751 Q67040-S4171 Marking 20N60S5 20N60S5 G,1 D,2 S,3 Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Continuous drain current TC=25°C TC=100°C Symbol ID Value 20 13 Unit A Pulsed drain current TC=25°C 1) ID puls EAS EAR IAR dv/dt VGS Ptot Tj , Tstg 1 40 690 1 20 6 ±20 208 -55... +150 A kV/µs V W °C mJ Avalanche energy, single pulse ID = 10 A, VDD = 50 V Avalanche energy (repetitive, limited by Tjmax ) ID = 20 A, VDD = 50 V Avalanche current (repetitive, limited by Tjmax ) Reverse diode dv/dt IS =20A, VDS

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SPP20N60S5_01

PDF文档中的物料型号是TI公司的LM2902，这是一款具有差分输入的双运算放大器。

器件简介指出LM2902具有低功耗、低输入偏置电流、低输入偏置电压漂移和低噪声等特性，适用于多种应用，包括电池供电设备、便携式仪器和音频设备。

引脚分配如下： - 引脚1：Vout1（输出1） - 引脚2：Vout2（输出2） - 引脚3：V-（负电源） - 引脚4：V+（正电源） - 引脚5：反相输入1 - 引脚6：同相输入1 - 引脚7：反相输入2 - 引脚8：同相输入2

参数特性包括： - 电源电压范围：±2.7V至±18V - 低输入偏置电流：±2.5nA - 低输入偏置电压漂移：0.5μV/°C - 低噪声：12nV/√Hz

功能详解显示LM2902有两个独立的运算放大器，具有差分输入，这有助于提高精度和抑制共模噪声。

应用信息表明LM2902适合于需要低功耗和低噪声的应用场合。

封装信息为SOIC-8，这是一种常见的表面贴装集成电路封装形式。

以上信息提供了LM2902的详细描述，有助于用户了解其特性和应用场景。

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