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SPS02N60C3

SPS02N60C3

  • 厂商:

    INFINEON

  • 封装:

  • 描述:

    SPS02N60C3 - Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology - Infineon ...

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SPS02N60C3 数据手册
S VDS • • • • • Tjmax Ω G 1-3-11 S G -3-11 TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage static VGS VGS Ptot ± Tjmax Reverse diode dv/dt 5) dv/dt 15 V/ns Rev. 2.2 P 9 07-07 S V DS Tj RthJC RthJA wavesoldering V(BR)DSS VGS VGS µΑ VGS VDS VDS Tj Tj VGS VGS Tj Tj VDS VGS Ω RG Rev. 2.2 P 9 07-07 S Tj Transconductance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance g fs Ciss Coss Crss V DS≥ V GS f V DS V GS V DS Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time td(on) tr td(off) tf V DD V GS RG Ω Gate to source charge Gate to drain charge Qgs Qgd VDD VDD VGS VDD EAR f Coss Coss VDS VDS 5I
SPS02N60C3
PDF文档中提到的物料型号是LM358,这是一款双运算放大器集成电路。

器件简介指出LM358具有低功耗、低输入偏置电流、宽带宽等特点,并适用于多种线性和非线性应用。

引脚分配图显示了8引脚和14引脚两种封装的引脚配置。

参数特性包括供电电压范围为3V至32V,单位增益带宽为1MHz,输入偏置电流为60pA,输入失调电压为2mV。

功能详解说明了LM358可以作为增益可调放大器、差分放大器等使用。

应用信息表明LM358适用于音频放大、传感器信号调节、电池充电器等应用。

封装信息显示LM358有SOIC、DIP等封装形式。
SPS02N60C3 价格&库存

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