N
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1410N
VDRM,VRRM VDSM VRSM ITRMSM TC = 85 °C TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM ITAVM ITRMS Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stossstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlasskennlinie 400 A ≤ iT ≤ 7000 A on-state characteristic
vj vj max
ElektrischeT Eigenschaften = -40°C... T
Tvj = +25°C... Tvj max
200 400 600 200 400 600 250 450 650 2500
V V V V V V V V V A
1490 A 2080 A 3270 A 23000 A 20000 A 2650 10³ A²s 2000 10³ A²s 120 A/µs 1000 V/µs
Tvj = Tvj max, iT = 4,5 kA Tvj = Tvj max, iT = 1 kA Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH IL i D, i R
max. max.
1,5 V 1,15 V 1,0 V 0,1 mΩ
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time
iT
Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12V Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM
1,132E+00 5,833E-05 -3,109E-02 5,426E-03 max. max. max. max. max. max. max. max. max. 250 mA 1,5 V 10 mA 5 mA 0,2 V 300 mA 1200 mA 80 mA 4 µs
DIN IEC 60747-6 tgd Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
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T1410N
= 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische Eigenschaften
RM DM DRM D T th
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
typ.
200 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides
RthJC
max. max. max. max. max. max. max. max.
0,027 0,026 0,049 0,048 0,057 0,056
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH Tvj max Tc op Tstg
0,005 °C/W 0,010 °C/W 140 °C
-40…+140 °C -40…+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode G F
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12...24 kN A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 typ. 160 mm mm mm g
5 mm 50 m/s²
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Massbild
45 1 2
1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode
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T1410N
R,t – Werte KDiagramme ühlung / Diagramme Cooling beidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n Rthn [°C/W] 1 2 3 4 5 6 -t
7 -
T0,00086 Wärmewid. beidseitig0,0129 rans. 0,00144 0,00180 0,009
0,00018 0,00100 0,00018 0,00080 0,00018 0,00166 0,00160 0,00166 0,00140 0,00151 0,00937 0,00180 0,00937 0,00230 0,00887 0,094 0,0090 0,1504 0,0097 0,2110 0,7960 0,0346 1,0990 0,04180 0,01331
nmax n=1
τn [s]
Rthn [°C/W]
anodenseitig anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig cathode-sided
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
ΣR
thn
1− e
τn
0,06 c 0,05
a
0,04 ZthJC [ °C/W]
0,03
b
0,02
0,01
0,00 0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Durchlasskennlinie
Θ = 180° ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00373 0,00110 Θ = 120° 0,00659 0,00206 Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 90° 0,00905 0,00347
Θ = 60° 0,01317 0,00607
Θ = 30° 0,02222 0,01218
beidseitig two-sided
0,00393
0,00704
0,00975
0,01436
0,02461
anodenseitig anode-sided
0,00093 0,00378 0,00116
0,00193 0,00667 0,00213
0,00344 0,00915 0,00358
0,00628 0,01331 0,00626
0,01307 0,02239 0,01261
kathodenseitig cathode-sided
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
8000 7000 6000 5000
iT [A] Tvj = Tvj max
4000 3000 2000 1000 0 1 1,1 1,2 1,3
vT [V]
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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2500
Datenblatt / Data sheet
T1410N
Durchlassverluste
2000
0°
180° 120° 90°
0
180°
PTAV [ W]
1500 θ = 30° 1000
60°
500
0 0 200 400 600 800 1000 ITAV [A] 1200 1400 1600 1800
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
160 140 120 TC [ °C] 100 80 θ = 3 0° 60 40 20 0 200 400 600 800 1000 I TAV [A] 1200 1400 1600 1800 60° 90° 120° 1 80°
0°
0
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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3500 3000
0°
Datenblatt / Data sheet
T1410N
Tc
0
1 80°
DC
2500 PTAV [W] 2000 1500 1000 500 0 0 500
180° 90° 60° θ = 30° 120°
1000
1500 ITAV [ A]
2000
2500
3000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140 120
0°
0
180°
100
C [ °C]
80 60 40
θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC
T 20 0 500 1000 1500 I T AV [ A] 2000 2500 3000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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100
Datenblatt / Data sheet
T1410N
Steuerkennlinie
10 vG [ V]
a b c
d
0,1 10 100 1000 iG [ mA] 10000 100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms Zündverzug d – 150W / 0,1ms
10000
iT M = 2000A 1000A 500A 200A 100A 50A 20A
Qr [µAs]
1000
100 1 10 -di/dt [A/µs] 100
Tvj = +140°C
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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T vj = +25°C
1
Tvj = -40 °C
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25
Datenblatt / Data sheet
T1410N
20
I T(OV)M [ kA]
15
10
0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM
5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
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