T470N

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N VDRM,VRRM VDSM VRSM ITRMSM TC = 85 °C TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM ITAVM ITRMS Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stossstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlasskennlinie 100 A ≤ iT ≤ 2400 A on-state characteristic vj vj max ElektrischeT Eigenschaften = -40°C... T Tvj = +25°C... Tvj max 1200 1400 1600 1200 1400 1600 1300 1500 1700 800 V V V V V V V V V A 470 A 670 A 1060 A 7100 A 6350 A 252 10³ A²s 202 10³ A²s 150 A/µs 1000 V/µs Tvj = Tvj max, iT = 1200 A Tvj = Tvj max, iT = 300 A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH IL i D, i R max. max. 1,85 V 1,10 V 0,80 V 0,75 mΩ v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅ Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time iT Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12V Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM 9,865E-01 2,622E-04 -1,155E-01 3,953E-02 max. max. max. max. max. max. max. max. max. 200 mA 2V 10 mA 5 mA 0,2 V 300 mA 1200 mA 50 mA 3 µs DIN IEC 60747-6 tgd Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld date of publication: revision: 2009-12-16 3.1 IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 1/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N = 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische Eigenschaften RM DM DRM D T th Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 250 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides RthJC max. max. max. max. max. max. max. max. 0,051 0,046 0,084 0,079 0,114 0,109 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature RthCH Tvj max Tc op Tstg 0,015 °C/W 0,030 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode G F Seite 3 page 3 4...8 kN A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 typ. 70 mm mm mm g 6 mm 50 m/s² IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 2/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N Massbild 45 1 2 1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 3/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N R,t – Werte KDiagramme ühlung / Diagramme Cooling beidseitig two-sided Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n Rthn [°C/W] 1 2 3 4 5 6 0,033 2,830 0,063 2,930 -t 7 - T0,00024 Wärmewid. beidseitig0,0162 rans. 0,00459 0,00647 0,0185 0,00013 0,00024 0,00013 0,00024 0,00013 0,00156 0,00459 0,00156 0,00459 0,00156 0,01010 0,00647 0,01010 0,00647 0,01010 0,0836 0,0185 0,0836 0,0185 0,0836 0,4750 0,0162 0,5350 0,0162 0,7750 nmax n=1 τn [s] Rthn [°C/W] anodenseitig anode-sided τn [s] Rthn [°C/W] kathodenseitig cathode-sided τn [s] Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = ΣR thn 1− e τn 0,12 c 0,1 0,08 ZthJC [ °C/W] 0,06 0,04 0,02 b a 0 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 4/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N Durchlasskennlinie Θ = 180° ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00906 0,00498 Θ = 120° 0,01560 0,00779 Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Kühlung / Cooling Θ = 90° 0,02095 0,01190 Θ = 60° 0,02929 0,01937 Θ = 30° 0,04385 0,03446 beidseitig two-sided 0,00909 0,01562 0,02101 0,02935 0,04393 anodenseitig anode-sided 0,00502 0,00910 0,00503 0,00783 0,01560 0,00783 0,01195 0,02101 0,01195 0,01942 0,02936 0,01942 0,03454 0,04394 0,03455 kathodenseitig cathode-sided Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 2500 2000 Tvj = Tvj max 1500 i T [ A] 1000 500 0 0,5 1 1,5 vT [ V] 2 2,5 3 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 5/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 900 800 700 600 PTAV [ W] 500 400 300 200 100 0 0 50 100 0° Datenblatt / Data sheet T470N Durchlassverluste 0 180° 180° 90° 120° 60° θ = 3 0° 150 200 250 ITAV [ A] 300 350 400 450 500 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 100 TC [ °C] 80 60 40 0° θ = 30° 60°sin 90°sin 120°sin 180°sin 20 0 50 0 100 180° 150 200 250 ITAV [ A] 300 350 400 450 500 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 6/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 1200 1000 0° Datenblatt / Data sheet T470N Tc 0 180 ° DC 180° 800 PTAV [ W] 600 400 200 0 0 100 200 300 60° θ = 30° 90° 120° 400 I TAV [A] 500 600 700 800 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 0° 0 180° 100 TC [°C] 80 60 40 20 0 100 200 300 400 ITAV [A] 500 600 700 800 90° 120° 180° θ = 30° 60° DC Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 7/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 100 Datenblatt / Data sheet T470N Steuerkennlinie 10 vG [V] c b a d 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 100000 Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms Zündverzug d - 150W / 0,1ms 10000 Qr [µAs] Tvj = +125°C 1 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Tvj = +25°C Tvj = -40 °C iTM = 500A 200A 1000 100A 50A 20A 100 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 8/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 7 6 5 IT(OV)M [ kA] 4 3 2 1 0 1 2 3 4 Datenblatt / Data sheet T470N 0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 9/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T470N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 29/09 Seite/page 10/10