T570N

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N = -40°C... T ElektrischeT Eigenschaften vj vj max Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stossstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlasskennlinie 100 A ≤ iT ≤ 2800 A on-state characteristic Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1,25 A, diG/dt = 1,25 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F TC = 85 °C TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms VDRM,VRRM 2000 2200 VDSM VRSM ITRMSM ITAVM ITAVM ITRMS ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 2000 2200 2100 2300 2400 V 2600 V 2400 V 2600 V 2500 V 2700 V 1055 A 561 A 800 A 1250 A 10000 A 9000 A 500 10³ A²s 405 10³ A²s 120 A/µs 1000 V/µs Tvj = +25°C... Tvj max Tvj = Tvj max, iT = 2 kA Tvj = Tvj max, iT = 0,4 kA Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH IL max. max. 2,75 V 1,21 V 1,0 V 0,84 mΩ v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅ Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time iT Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12V Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1,25 A, diG/dt = 1,25 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, iGM = 1,25 A, diG/dt = 1,25 A/µs date of publication: revision: 2010-01-18 3.1 7,500E-01 7,877E-04 -5,399E-03 1,153E-02 max. max. max. max. max. max. max. 250 mA 1,5 V 10 mA 5 mA 0,2 V 200 mA 620 mA i D, i R tgd max. max. 80 mA 3,3 µs prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 1/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N = 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische Eigenschaften RM DM DRM D T th Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 300 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides RthJC max. max. max. max. max. max. max. max. 0,033 0,032 0,050 0,049 0,086 0,085 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature RthCH Tvj max Tc op Tstg 0,005 °C/W 0,010 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode G F Seite 3 page 3 7,5..17,5 kN A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 typ. 160 mm mm mm g 5 mm 50 m/s² IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 2/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N Massbild 45 1 2 1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 3/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N R,t – Werte KDiagramme ühlung / Diagramme Cooling beidseitig two-sided Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n Rthn [°C/W] 1 2 3 4 5 0,0223 2,1300 0,0603 3,1300 nmax n=1 6 -t 7 - T0,00240 Wärmewid. beidseitig rans. 0,0088 0,0154 0,0054 0,00093 0,00240 0,00093 0,00240 0,00093 0,0403 0,0088 0,0403 0,0088 0,0403 0,5730 0,0101 0,5730 0,0051 0,5730 1,5700 0,0054 0,9700 0,0084 1,8700 τn [s] Rthn [°C/W] anodenseitig anode-sided τn [s] Rthn [°C/W] kathodenseitig cathode-sided τn [s] Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = ΣR thn 1− e τn 0,09 c 0,08 0,07 0,06 ZthJC [°C/W] 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 b a 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 4/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N Durchlasskennlinie Θ = 180° ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00364 0,00086 Θ = 120° 0,00649 0,00178 Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Kühlung / Cooling Θ = 90° 0,00908 0,00332 Θ = 60° 0,01378 0,00691 Θ = 30° 0,02402 0,01711 beidseitig two-sided 0,00365 0,00651 0,00911 0,01381 0,02406 anodenseitig anode-sided 0,00087 0,00365 0,00087 0,00179 0,00650 0,00178 0,00334 0,00910 0,00334 0,00693 0,01380 0,00691 0,01715 0,02405 0,01714 kathodenseitig cathode-sided Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 3000 Tvj = Tvj max 2000 iT [A] 1000 0 0,8 1,3 1,8 vT [V] 2,3 2,8 3,3 3,8 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 5/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 2000 Datenblatt / Data sheet T570N Durchlassverluste 1500 0° 0 180° 60° PTAV [ W] θ = 3 0° 1000 90° 120° 180° 500 0 0 100 200 300 400 ITAV [ A] 500 600 700 800 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 0° 0 180° 100 TC [ °C] 80 60 40 θ = 3 0° 20 0 100 200 300 400 ITAV [ A] 500 600 700 800 60° 90° 120° 180° Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 6/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 2500 Datenblatt / Data sheet T570N Tc 0° 2000 0 180° DC 120° 180° PTAV [W] 1500 θ = 30° 1000 60° 90° 500 0 0 200 400 600 ITAV [A] 800 1000 1200 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 0° 0 1 80° 100 TC [°C] 80 60 θ = 30° 40 20 0 200 400 600 I TAV [A] 800 1000 1200 60° 90° 120° 180° DC Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 7/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 100 Datenblatt / Data sheet T570N Steuerkennlinie 10 vG [ V] a b c d 0,1 10 100 1000 iG [ mA] 10000 100000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms Zündverzug d – 150W / 0,1ms 10000 i TM = 1000A 500A 200A 100A 50A Qr [ µAs] Tvj = +125°C Tvj = +25°C 1 Tvj = - 40 °C 1000 20A 100 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 8/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 10 9 8 7 Datenblatt / Data sheet T570N I T(OV)M [ kA] 6 5 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves 0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 9/10 N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T570N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2010-01-15, H.Sandmann A06/10 Seite/page 10/10