N
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T720N
ElektrischeT Eigenschaften = -40°C... T
vj vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stossstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlasskennlinie 300 A ≤ iT ≤ 3500 A on-state characteristic Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F TC = 85 °C TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms VDRM,VRRM 1200 1400 VDSM VRSM ITRMSM ITAVM ITAVM ITRMS ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 1200 1400 1300 1500 1600 V 1800 V 1600 V 1800 V 1700 V 1900 V 1500 A 720 A 1050 A 1650 A 14500 A 12500 A 1051 10³ A²s 781 10³ A²s 120 A/µs 1000 V/µs
Tvj = +25°C... Tvj max
Tvj = Tvj max, iT = 3000 A Tvj = Tvj max, iT = 750 A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH
max. max.
1,94 V 1,20 V 0,85 V 0,35 mΩ
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time
iT
Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12V
1,173E+00 1,489E-04 -9,456E-02 1,966E-02 max. max. max. max. max. max. max. max. max. 250 mA 1,5 V 10 mA 5 mA 0,2 V 300 mA 1500 mA 80 mA 4 µs
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω IL iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM i D, i R
DIN IEC 60747-6 tgd Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
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2008-10-13 1.0
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T720N
= 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische Eigenschaften
RM DM DRM D T th
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
typ.
250 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides
RthJC
max. max. max. max. max. max. max. max.
0,038 0,036 0,068 0,065 0,082 0,080
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH Tvj max Tc op Tstg
0,005 °C/W 0,010 °C/W 125 °C
-40...+125 °C -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode G F
Seite 3 page 3
9...18 kN A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 typ. 270 mm mm mm g
20 mm 50 m/s²
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Massbild
45 1 2
1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode
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T720N
R,t – Werte Diagramme KDiagramme ühlung / Cooling beidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00017 0,00338 0,00429 0,01355 0,00027 0,00022 0,00033 0,00022 0,00033 0,00261 0,00368 0,00260 0,00305 0,00254 0,04170 0,00407 0,02970 0,00216 0,01790 0,17300 0,01813 0,18200 0,01625 0,14600
1
2
3
4
5
6 0,0535 6,8200
-t
7 -
0,01461
τn [s]
Rthn [°C/W]
0,99900 0,0389 5,8300 0,00482 0,01355
nmax n=1
anodenseitig anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig cathode-sided
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
ΣR
thn
1− e
τn
0,09 0,08 0,07 [ °C/W] 0,06 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 b c a
Z
thJC
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Durchlasskennlinie
Θ = 180° ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00438 0,00279 Θ = 120° 0,00764 0,00431
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Kühlung / Cooling Θ = 90° 0,01017 0,00644 Θ = 60° 0,01379 0,00986 Θ = 30° 0,01951 0,01591
beidseitig two-sided
0,00496
0,00860
0,01144
0,01551
0,02200
anodenseitig anode-sided
0,00316 0,00434 0,00274
0,00486 0,00746 0,00420
0,00723 0,00998 0,00625
0,01105 0,01355 0,00955
0,01794 0,01935 0,01562
kathodenseitig cathode-sided
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
4.000 3.500 3.000 2.500 iT [A] 2.000 1.500 1.000 500 0 0,8 1 1,2 1,4 V T [V] 1,6 1,8 2 2,2
Tv j = Tvj max
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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2000
Datenblatt / Data sheet
T720N
Durchlassverluste
1500
120°
0°
180°
0
180°
90° 60°
PTAV [ W]
θ = 30°
1000
500
0 0 200 400 600 ITAV [ A] 800 1000 1200
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140 120
0°
0
180°
100 T C [°C] 80 60 40
θ = 30° 60° 90° 120° 180°
20 0 200 400 600 I T AV [A] 800 1000 1200
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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2500
Datenblatt / Data sheet
T720N
Tc
60° θ = 30° 90° 120° 180°
2000
DC
0°
0
180°
P TAV [W]
1500
1000
500
0 0 200 400 600 800
IT AV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
1000
1200
1400
1600
140 120
0°
0
180°
100 T C [°C] 80 60 40
θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC
20 0 200 400 600 800 I T AV [A] 1000 1200 1400 1600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
100
Datenblatt / Data sheet
T720N
Steuerkennlinie
10
c d
v G [ V]
a Tvj = -40 °C
b
0,1 10 100 1000 i G [ mA] 10000 100000
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms Zündverzug d - 150W / 0,1 ms
10000
iTM = 2000A 1000A 500A 200A 100A 50A
Qr [µAs]
1000
Tvj = +125°C
1
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Tvj = + 25°C
20A
100 1 10 -di/dt [A/µs] 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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14 12 10 I T(OV)M [kA] 8 6 4 2 0 1 2 3 4
Datenblatt / Data sheet
T720N
0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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