2N6454

厂商：
INTERFET
封装：
描述：
2N6454 - N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor - InterFET Corporation

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2N6454 数据手册

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26 B-26 01/99 2N6453, 2N6454 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ¥ Audio Amplifiers ¥ Low-Noise, High Gain Amplifiers ¥ Low-Noise Preamplifiers Absolute maximum ratings at TA = 25¡C Reverse Gate Source Voltage Reverse Gate Drain Voltage Continuous Forward Gate Current Continuous Device Power Dissipation Power Derating 2N6453 2N6454 – 20 V – 25 V – 20 V – 25 V 10 mA 10 mA 360 mW 360 mW 2.88 mW/°C 2.88 mW/°C At 25°C free air temperature: Static Electrical Characteristics Gate Source Breakdown Voltage V(BR)GSS 2N6453 Min – 20 – 0.1 Max 2N6454 Min – 25 – 0.5 Max Unit V nA nA µA –1 µA V mA Process NJ132L Test Conditions IG = – 1 µA, VDS = ØV VGS = – 10V, VDS = ØV VGS = – 15V, VDS = ØV VGS = – 10V, VDS = ØV VGS = – 15V, VDS = ØV VDS = 10V, ID = 0.5 nA VDS = 10V, VGS = ØV TA = 125°C TA = 125°C Gate Reverse Current IGSS – 0.2 – 0.75 – 5 – 0.75 – 5 15 50 15 50 Gate Source Cutoff Voltage Drain Saturation Current (Pulsed) Dynamic Electrical Characteristics Common Source Forward Transmittance Common Source Output Conductance Common Source Input Capacitance Common Source Reverse Transfer Capacitance Equivalent Short Circuit Input Noise Voltage Noise Figure VGS(OFF) IDSS | Yfs | | Yos | Ciss Crss eN ¯ NF mS 20 40 100 25 5 5 3 1.5 20 40 100 25 5 8 2.5 mS µS µS pF pF pF pF nV/√Hz dB 10 nV/√Hz VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 15 mA VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 15 mA VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 15 mA VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 15 mA VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 5 mA VDS = 10V, ID = 5 mA RG = 10 kΩ f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 1 kHz f = 10 kHz f = 1 kHz f = 10 Hz TOÐ72 Package Dimensions in Inches (mm) Pin Configuration 1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case 1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042 (972) 487-1287 FAX (972) 276-3375 www.interfet.com

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2N6454

### 物料型号 - 型号：2N6453, 2N6454

### 器件简介 - 这两种型号均为N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor，适用于音频放大器、低噪声高增益放大器和低噪声前置放大器。

### 引脚分配 - TOÐ72封装引脚配置：1 Source（源极），2 Drain（漏极），3 Gate（栅极），4 Case（外壳）。

### 参数特性 - 绝对最大额定值（在$T_{A}=25^{\\circ} C$时）： - 反向栅源电压：2N6453为-20V，2N6454为-25V。 - 反向栅漏电压：2N6453为-20V，2N6454为-25V。 - 连续正向栅电流：两者均为10 mA。 - 连续器件功耗：两者均为360 mW。 - 功率降额：2.88 mW/°C。

- 静态电气特性： - 栅源击穿电压（V(BR)GSS）：-20V至-25V。 - 栅反向电流（IGSS）：0.1至0.5 nA。 - 栅源截止电压（VGS(OFF)）：0.75V至5V。 - 漏饱和电流（Idss）：15 mA至50 mA。

- 动态电气特性： - 共源输入电容（Ciss）：25 pF至25 pF。 - 共源反向传输电容（Crss）：5 pF。 - 等效短路输入噪声电压（en）：5 nV/Hz至10 nV/Hz。 - 噪声系数（NF）：1.5 dB至2.5 dB。

### 功能详解 - 这两种晶体管具有低噪声特性，适合用于高增益放大器和前置放大器。它们的动态电气特性，如输入电容和噪声系数，对于设计高性能音频放大电路至关重要。

### 应用信息 - 适用于音频放大器、低噪声高增益放大器和低噪声前置放大器。

### 封装信息 - TOÐ72封装：提供了详细的引脚配置图，包括源极、漏极、栅极和外壳的排列。

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