物料型号:
HIP2120 和 HIP2121
器件简介:
HIP2120 和 HIP2121 是100V、高峰值电流2A的高频半桥MOSFET驱动IC。
基于流行的ISL2100A和ISL2101A半桥驱动器。
这些驱动器具有可编程死区时间,以确保高侧和低侧驱动器之间的断开前制造操作。
死区时间可调,最长可达250ns。
引脚分配:
HIP2120 和 HIP2121 (10 LD 4X4 TDFN) 视图:
- LO、VSS、VDD、HB、HO、HS、PWM、EN、RDT、EPAD、RDTHB
HIP2120 和 HIP2121 (9 LD 4X4 TDFN) 视图(缺少引脚2以符合IPC-2221的100V导体间距指南)。
参数特性:
- 9 LD TDFN “B” 封装符合IPC-2221的100V导体间距指南
- 可调死区时间,最长可达220ns,防止直通
- 可承受高达114VDC的自举供电最大电压
- 宽供电电压范围(8V至14V)
- 供电欠压保护
- CMOS兼容输入阈值,具有滞后功能(HIP2120)
- 典型输出上拉/下拉电阻为1.6Ω/1Ω
- 芯片内1Ω自举二极管
功能详解:
- 当PWM输入高时,高侧桥臂FET导通,低侧FET关闭;PWM输入低时,低侧桥臂FET导通,高侧关闭。
使能引脚(EN)低时,两个输出都为低。
- 内部可编程定时器延迟任一输出的上升沿,确保两个桥臂FET不会同时导通,以防止直通电流。
- 自举电容器连接在HB和HS之间,自举二极管连接到VDD。
自举电容器的充电电流受自举二极管的固有电阻限制。
应用信息:
- 电信半桥DC/DC转换器
- UPS和逆变器
- 电机驱动
- 类D放大器
- 具有主动钳位的正向转换器
封装信息:
- 提供10 LD 4x4 DFN和9 LD 4x4 DFN两种封装选项。
9 LD封装省略了第2引脚,以符合IPC-2221的100V导体间距指南。