ISL6605IBZ

### 物料型号 - ISL6605

### 器件简介 ISL6605是一款高频MOSFET驱动器，专为同步整流降压转换器拓扑结构中的两个N沟道功率MOSFET设计。

该驱动器与Intersil HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器结合使用，形成具有高效率性能的单级核心电压调节器解决方案，适用于高频开关的先进微处理器。

### 引脚分配 - UGATE (Pin 1): 上端栅极驱动输出，连接到高端N沟道MOSFET的栅极。

- BOOT (Pin 2): 上端栅极驱动的浮动引导供电引脚，引导电容器连接在此引脚和PHASE引脚之间。

- PWM (Pin 3): PWM信号是驱动器的控制输入，连接到控制器的PWM输出。

- GND (Pin 4): 地引脚，所有信号都参考此节点。

- LGATE (Pin 5): 下端栅极驱动输出，连接到低端N沟道MOSFET的栅极。

- VCC (Pin 6): 连接到+5V偏置电源，在此引脚和地之间放置高质量旁路电容器。

- EN (Pin 7): 使能输入引脚，连接到高电平以启用，连接到低电平以禁用。

- PHASE (Pin 8): 连接到高端MOSFET的源极和低端MOSFET的漏极，为上端栅极驱动提供返回路径。

### 参数特性 - 驱动两个N沟道MOSFET - 适应性直通保护 - 0.4Ω导通电阻和4A沉电流能力 - 支持高开关频率 - 快速输出上升和下降时间，超低传播延迟8ns - 三态PWM输入用于电源阶段关闭 - 内部引导肖特基二极管 - 低偏置电源电流（5V，30µA） - 使能输入 - QFN封装 - 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-四方扁平无引线产品轮廓

### 功能详解 ISL6605 MOSFET驱动器控制来自一个外部提供的PWM信号的高端和低端N沟道FET。

PWM信号在操作期间可以进入三个不同的状态。

上升沿PWM启动低端MOSFET的关闭。

自适应直通电路监测LGATE电压，并根据LGATE电压下降到1V的速度确定上端栅极延迟时间，以防止两个MOSFET同时导通。

一旦延迟期完成，上端栅极驱动开始上升，上端MOSFET导通。

### 应用信息 - 适用于Intel®和AMD®微处理器的核心电压供电 - 高频低剖面DC/DC转换器 - 高电流低电压DC/DC转换器 - 隔离电源供应的同步整流

### 封装信息 - 8 LD SOIC封装 - 8 LD 3x3 QFN封装 - Pb-Free Plus Anneal可用（RoHS兼容）