ISL6627IRZ-TK

- 物料型号: ISL6627 - 器件简介: ISL6627为一款高频MOSFET驱动器，设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上下功率N沟道MOSFET。它与Intersil VR11.1和VR12控制器兼容，并与N沟道MOSFET结合使用，形成先进微处理器的核心电压调节解决方案。 - 引脚分配: ISL6627采用10 Ld 3x3 DFN封装，包括上栅驱动输出(UGATE)、自举电源引脚(BOOT)、死区时间编程引脚(TD)、PWM控制输入(PWM)、地(GND)、下栅驱动输出(LGATE)、5V偏置电源(VCC)、使能输入(EN)和相位(PHASE)等引脚。 - 参数特性: 包括与Intersil VR11.1和VR12兼容、双MOSFET驱动、高级自适应零射击保护、可编程固定死区时间、低待机偏置电流、36V内部自举二极管、自举电容过充保护、支持高开关频率、4A吸收电流能力、快速上升/下降时间和低传播延迟。 - 功能详解: ISL6627在PSI模式下启用二极管仿真操作，以提高轻载效率。它通过检测电感电流何时降至零并随之关闭低端MOSFET来实现这一点。此外，它还集成了先进的自适应射击保护，以防止上下MOSFET同时导通，最小化死区时间。 - 应用信息: 主要应用于高轻载效率的电压调节器。 - 封装信息: ISL6627采用10 Ld 3x3 DFN封装，具有无铅(RoHS兼容)的特性。