3DD13003E1D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 E1D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 E1D 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V IC 1.3 A Ptot （Ta=25℃） 0.8 W ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 终端结构和少子寿命控制 ● 可靠性高 技术，集成了有源抗饱和网 应用 络，提高了产品的击穿电 ● 紧凑型电子节能灯 压、开关速度和可靠性。 ● 电子镇流器 封装 TO-92 ● 一般功率开关电路 存储条件和焊接温度 内部结构图 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 C B 环境温度-10℃～40℃ 1年 265℃ 相对湿度 ＜85％ E 极限值 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流（tp＜5ms） 基极直流电流 基极脉冲电流（tp＜5ms） 耗散功率 结温 贮存温度 符 号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 额定值 600 400 9 1.3 2.6 0.65 1.3 0.8 150 -55～150 单 位 V V V A A A A W ℃ ℃ 热 阻 参数名称 结到环境的热阻 无锡华润华晶微电子有限公司 符号 最小值 典型值 RθJA 2012 版 最大值 单位 156 ℃/W 1/5 3DD13003 E1D R ○ 电参数 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 符 号 集电极-基 极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基 极截止电流 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 共发射极正向电流传输比的静态值 ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFE* 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 hFE1/ hFE2 VCE sat* VBE sat* Vfa 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 二极管正向电压 贮存时间 上升时间 下降时间 ts tr tf 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 0.1 600 400 9 15 30 测 试 条 件 VCB=600V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=0.2A hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=0. 2A IC=0.5A, IB=0.1A IC=0.5A, IB=0.1A If = 1 A 0.75 ◆ ts 分档 2~2.5~3~3.5~4μs 0.8 1.5 1.5 4 1 1 2 UI9600，IC=0.1A fT mA mA mA V V V 0.9 0.4 1 VCE=10V, IC=0.2A f=1MHz * 脉冲测试，脉冲宽度 tp≤300μs，占空比 δ≤2% 特征频率 单位 5 V V V μs μs μs MHz hFE 分档 15~20~25~30 有害物质说明 有毒有害物质或元素 部件名称 多溴 多溴二 六溴环 邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲 酸二丁酯 酸丁苄酯 铅 汞 镉 六价铬 联苯 苯醚 十二烷 甲酸酯 Pb Hg Cd Cr(VI) PBB PBDE HBCDD DEHP DBP BBP ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ （含量要求） ○：表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 说 明 ×：表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。 无锡华润华晶微电子有限公司 2012 版 2/5 3DD13003 E1D R ○ 特性曲线 Ptot – Ta 关系曲线 安全工作区（单脉冲） 1 10 最大耗散功率 Ptot (W) 集电极电流 IC (A) 100μs 1 0.1 1ms DC 10ms 0.01 Ta=25℃ Without Heatsink 0.6 0.4 0.2 0 0.001 1 1000 100 10 0 75 100 125 环境温度 Ta (℃) IC-VCE 特性 (典型) hFE-IC 温度特性 (典型) 150 共发射极正向电流传输比 hFE 100 Ta=25℃ 0.25 IB=2mA 0 VCE=5V Ta=125℃ Ta=25℃ 10 Ta= -55℃ 1 0 2 4 6 8 10 0.01 0.1 集电极-发射极电压 VCE (V) 10 VBEsat-IC 温度特性 (典型) 基极-发射极饱和电压 VBEsat (V) 10 Ta=125℃ 1 Ta=25℃ 0.1 IC/IB=5 0.01 0.1 1 集电极电流 IC (A) VCEsat-IC 温度特性 (典型) 集电极-发射极饱和电压 VCEsat (V) 50 25 集电极-发射极电压 VCE (V) 0.5 集电极电流 IC (A) 0.8 1.4 1.2 1 Ta=25℃ Ta=125℃ 0.8 0.6 IC/IB=5 0.4 1 10 0.01 无锡华润华晶微电子有限公司 0.1 1 10 集电极电流 IC (A) 集电极电流 IC (A) 2012 版 3/5 3DD13003 E1D R ○ 外形图：TO-92 项 目 规范值(mm) 最小 最大 A 4.30 4.90 B 4.30 4.90 C 3.20 3.80 D 1.20 1.40 E 0.40 0.60 F 0.30 0.50 L 12.70 15.50 N 1.07 1.47 包装说明 袋装： 1）产品的小包装，采用 1000 只/包的塑料袋包装； 2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 8 盒/箱的大号纸板箱包装。 编带： 外形图： 无锡华润华晶微电子有限公司 2012 版 4/5 3DD13003 E1D 项 目 符合 数 值(mm) 引线口径（□形） □d 0.5±0.05 引线编入胶带内长度 L1 2.5（min） 元件间距 P 12.7±0.1 输送孔中心间距 P0 12.7±0.3 P2 6.35±0.4 输送孔中心至元件中心间距 引线间距 F1,F2 元件倾斜度 △h,△p R ○ 备 注 典型值 累计误差±1.0/20 个间距 2.6 0±1.0 纸带宽度 W 18.0 +1.0 热熔胶带宽度 W0 6.0±0.3 孔位 W1 9.0±0.5 胶带与纸带相对位置 W2 0.5MAX 从带中心至元件底部距离 H 19.0±1.0 引线弯曲部距离 H0 16.0±0.5 元件顶部至纸带中心距 H1 23.0≤H1≤32.25 输送孔直径 ФD0 4.0±0.2 总纸厚度 t 0.6±0.2 颈根 H* 1.5-2.0 引线切断后至孔中心相对长度 L 11.0MAX − 0.5 底纸厚度 0.4±0.02 包装说明 1）产品的小包装，采用 2000 只/盒的中号纸盒包装； 2）产品的大包装，采用 15 盒/箱的大号纸板箱包装。 注意事项 1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相 关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效； 避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3）本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 市场营销部 中国江苏无锡市梁溪路 14 号 邮编：214061 网址：http://www. crhj.com.cn 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 E-mail：sales@hj.crmicro.com. 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 无锡华润华晶微电子有限公司 传真：0510-8180 5110 2012 版 5/5