硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R
○
3DD13003 F6
产品概述
特征参数
产品特点
3DD13003 F6 是硅 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺,分压环终端
● 开关损耗低
符 号
额定值
单 位
● 反向漏电流小
VCEO
400
V
IC
1.5
A
Ptot (Tc=25℃)
50
W
● 高温特性好
● 合适的开关速度
结构和少子寿命控制技术,
● 可靠性高
提高了产品的击穿电压、开
应用
关速度和可靠性。
● 紧凑型电子节能灯
封装 TO-126
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
存储条件和焊接温度
内部结构图
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
C
环境温度-10℃~40℃
1年
265℃
B
相对湿度 <85%
E
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
符 号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ta=25℃
耗散功率
额定值
700
400
9
1.5
3
0.75
1.5
1.25
Ptot
Tc=25℃
结温
贮存温度
50
Tj
Tstg
单 位
V
V
V
A
A
A
A
W
150
-55~150
℃
℃
最大值
单位
热 阻
参数名称
符号
最小值
典型值
结到壳的热阻
RθJC
2.5
℃/W
结到环境的热阻
RθJA
100
℃/W
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○
电参数
除非另有规定,Ta= 25℃
参 数 名 称
符 号
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比的静态值
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE*
小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值
hFE1/ hFE2
VCE sat*
VBE sat*
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ts
tr
tf
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15
30
测 试 条 件
VCB=700V, IE=0
VCE=400V, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.2A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=1A, IB=0.25A
IC=1A, IB=0.25A
0.75
◆ ts 分档 3~3.5~4~4.5~5μs
0.9
1.2
5
1
1
3
UI9600,IC=0.1A
fT
mA
mA
mA
V
V
V
0.9
0.3
0.9
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
∗ 脉冲测试,脉冲宽度 tp≤300μs,占空比 δ≤2%
特征频率
单位
5
V
V
μs
μs
μs
MHz
hFE 分档 15~18~21~24~26
有害物质说明
有毒有害物质或元素
部件名称
多溴
多溴二
六溴环
邻苯二
邻苯二甲 邻苯二甲
酸二丁酯 酸丁苄酯
铅
汞
镉
六价铬
联苯
苯醚
十二烷
甲酸酯
Pb
Hg
Cd
Cr(VI)
PBB
PBDE
HBCDD
DEHP
DBP
BBP
≤0.1%
≤0.1%
≤0.01%
≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
引线框
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
塑封树脂
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
管 芯
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
内引线
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
焊 料
×
○
○
○
○
○
○
○
○
○
(含量要求)
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
说 明
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
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特性曲线
Ptot – Ta 关系曲线
安全工作区(单脉冲)
50
10
集电极电流 IC (A)
1
最大耗散功率 Ptot (W)
100μs
DC
1ms
0.1
10ms
0.01
Ta=25℃
30
20
10
Without Heatsink
0
0.001
1
1000
100
10
0
25
75
100
125
环境温度 Ta (℃)
IC-VCE 特性 (典型)
hFE-IC 温度特性 (典型)
150
共发射极正向电流传输比 hFE
100
Ta=25℃
0.25
IB=2mA
0
0
4
2
6
8
VCE=5V
Ta=125℃
Ta=25℃
10
Ta= -55℃
1
10
0.01
0.1
集电极-发射极电压 VCE (V)
1
10
集电极电流 IC (A)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
10
基极-发射极饱和电压 VBEsat (V)
集电极-发射极饱和电压 VCEsat (V)
50
集电极-发射极电压 VCE (V)
0.5
集电极电流 IC (A)
With Infinite Heatsink
40
1
Ta=125℃
Ta=25℃
0.1
IC/IB=4
0.01
0.1
1
10
1.2
1
Ta=25℃
Ta=125℃
0.8
0.6
IC/IB=4
0.4
0.01
1
10
集电极电流 IC (A)
集电极电流 IC (A)
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外形图:TO-126
项
L
目
规范值(mm)
最小
最大
A
7.30
7.90
B
10.30
11.10
C
2.50
2.80
C1
1.07
1.47
E
0.60
0.80
F
0.30
0.60
G
1.17
1.37
H
1.90
2.30
K
3.90
4.10
TO-126
15.00
17.00
TO-126-T
8.50
9.50
TO-126-S
5.00
6.20
N
2.09
2.49
2.90
3.30
包装说明
1)产品的小包装,采用 400 只/包的塑料袋包装;
2)产品的中包装,采用 10 包/盒的中号纸盒包装;
3)产品的大包装,采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司制作,并不断更新,更新时不再专门通知。
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址
市场营销部
中国江苏无锡市梁溪路 14 号
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
电话:0510-8580 7228
传真:0510-8580 0864
邮编:214061
电话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mail:sales@hj.crmicro.com. 传真:0510-8580 0360 / 8580 3016
应用服务
电话:0510-8180 5243
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