3DD13005GRD

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13005 GRD 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13005 GRD 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 VCEO 400 V IC 4 A Ptot（TC=25℃） 75 W ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 终端结构和少子寿命控制 ● 可靠性高 技术，集成了有源抗饱和网 应用 络，提高了产品的击穿电 ● 紧凑型电子节能灯 压、开关速度和可靠性。 ● 电子镇流器 封装 TO-262 ● 一般功率开关电路 存储条件和焊接温度 内部结构图 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 C B 环境温度-10℃～40℃ 1年 265℃ 相对湿度 ＜85％ E 极限值 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流（tp＜5ms） 基极直流电流 基极脉冲电流（tp＜5ms） 符 号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ta=25℃ Tc=25℃ 耗散功率 结温 贮存温度 额定值 700 400 9 4 8 2 4 2 75 150 -55～150 Ptot Tj Tstg 单 位 V V V A A A A W ℃ ℃ 热 阻 参数名称 符号 结到壳的热阻 结到环境的热阻 无锡华润华晶微电子有限公司 最小值 典型值 最大值 单位 RθJC 1.7 ℃/W RθJA 62.5 ℃/W 2012 版 1/4 3DD13005 GRD R ○ 电参数 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基 极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基 极截止电流 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 共发射极正向电流传输比的静态值 ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFE* 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 hFE1/ hFE2 VCB=700V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=1A hFE1:VCE=5V, IC=50mA hFE2:VCE=5V, IC=1A IC=2A, IB=0.5A IC=2A, IB=0.5A If = 2 A VCE sat* VBE sat* Vf* ts tr tf 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 二极管正向电压 贮存时间 上升时间 下降时间 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 0.1 700 400 9 15 30 0.6 1.5 UI9600，IC=0.5A fT ◆ ts 分档 1.5~2~2.5~3 μs mA mA mA V V V 0.7 0.25 0.95 VCE=10V, IC=0.5A f=1MHz ∗ 脉冲测试，脉冲宽度 tp≤300μs，占空比 δ≤2% 特征频率 单位 1 1.5 2.5 3 1 0.8 5 V V V μs μs μs MHz hFE 分档 15~20~25~30 有害物质说明 有毒有害物质或元素 部件名称 多溴 多溴二 六溴环 邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲 酸二丁酯 酸丁苄酯 铅 汞 镉 六价铬 联苯 苯醚 十二烷 甲酸酯 Pb Hg Cd Cr(VI) PBB PBDE HBCDD DEHP DBP BBP ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 × ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ （含量要求） ○：表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 说 明 ×：表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。 无锡华润华晶微电子有限公司 2012 版 2 /4 3DD13005 GRD R ○ 特性曲线 Ptot – Ta 关系曲线 安全工作区（单脉冲） 50 10 1 DC 0.1 1ms 10ms 0.01 Ta=25℃ 最大耗散功率 Ptot (W) 集电极电流 IC (A) 100μs 0.001 With Infinite Heatsink 30 20 10 Without Heatsink 0 1 1000 100 10 0 75 100 125 环境温度 Ta (℃) IC-VCE 特性 (典型) hFE-IC 温度特性 (典型) 150 共发射极正向电流传输比 hFE 100 Ta=25℃ 0.5 IB=5mA 0 0 2 4 6 8 VCE=5V Ta=125℃ Ta=25℃ 10 Ta= -55℃ 1 10 0.01 0.1 集电极-发射极电压 VCE (V) 1 10 集电极电流 IC (A) VCEsat-IC 温度特性 (典型) VBEsat-IC 温度特性 (典型) 1.4 10 基极-发射极饱和电压 VBEsat (V) 集电极-发射极饱和电压 VCEsat (V) 50 25 集电极-发射极电压 VCE (V) 1 集电极电流 IC (A) 40 1 Ta=125℃ Ta=25℃ 0.1 IC/IB=4 0.01 0.1 1 10 1.2 1 Ta=25℃ 0.6 IC/IB=4 0.4 0.01 集电极电流 IC (A) 无锡华润华晶微电子有限公司 Ta=125℃ 0.8 0.1 1 10 集电极电流 IC (A) 2012 版 3 /4 3DD13005 GRD 外形图 R ○ （单位： mm） TO-262 项 B C E 目 规范值 最小 最大 A 9.80 10.40 B 8.90 9.50 C 4.40 4.80 D 1.17 1.37 E 0.71 0.91 F 0.28 0.48 G 1.07 1.47 H 3.37 3.77 I 2.52 2.82 K 0.97 1.37 L 12.5 14.5 N 2.39 2.69 包装说明 1）产品的小包装，采用 200 只/包的塑料袋包装； 2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。 注意事项 1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相 关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效； 避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3) 本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 市场营销部 中国江苏无锡市梁溪路 14 号 邮编：214061 网址：http://www. crhj.com.cn 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 E-mail：sales@hj.crmicro.com. 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 无锡华润华晶微电子有限公司 传真：0510-8180 5110 2012 版 4 /4