3DD13007X1

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述 产品特点 3DD13007 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 功率开关晶体管，该产品采 ● 可靠性高 用平面工艺，分压环终端结 ● 高温特性好 构和少子寿命控制技术，集 成了有源抗饱和网络，提高 特征参数 ● 击穿电压高 ● 合适的开关速度 符 号 额定值 单 位 VCEO 400 V IC 8 A Ptot （TC=25℃） 80 W ● 可靠性高 封装 TO-220AB 了产品的击穿电压、开关速 应用 度和可靠性。 ● 紧凑型电子节能灯 存储条件和焊接温度 存放有效期 1年 ● 电子镇流器 ● 计算机电源的功率开关电路 存放条件 内部结构图 极限耐焊接热 C 环境温度-10℃～40℃ 相对湿度 ＜85％ 265℃ B E 极限值 （除非另有规定，Ta= 25℃） 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流（tp＜5ms） 基极直流电流 基极脉冲电流（tp＜5ms） 耗散功率 结温 贮存温度 无锡华润华晶微电子有限公司 符 号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ta=25℃ Tc=25℃ Ptot Tj Tstg 额定值 700 400 9 8 16 4 8 2.0 80 150 -55～150 2015V01 单 位 V V V A A A A W ℃ ℃ 1/4 3DD13007 X1 R ○ 电特性（除非另有规定，Ta= 25℃） 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基 极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基 极截止电流 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 共发射极正向电流传输比的静态值 ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFE* 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 hFE1/ hFE2 VCB=700V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=2A hFE1：VCE=5V,IC=5mA hFE2：VCE=5V,IC=2A IC=5A, IB=1A IC=5A, IB=1A VCE sat* VBE sat* ts tr tf 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 贮存时间 上升时间 下降时间 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 0.1 700 800 400 450 9 10.3 15 35 0.75 3 0.15 0.12 UI9600，IC=0.5A fT mA mA mA V V V 0.9 0.5 1.0 VCE=10V, IC=0.5A f=1MHz ∗ 脉冲测试，脉冲宽度 tp≤300μs，占空比 δ≤2% 特征频率 单位 5 1.0 1.5 8 0.3 0.2 10 V V μs μs μs MHz hFE 分档 15~20~25~30~35 有害物质说明 有毒有害物质或元素 ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 邻苯二 甲酸二 异丁酯 DIBP ≤0.1% ≤0.1% 邻苯二 甲酸二 丁酯 DBP ≤0.1% 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 × ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 部件名称 （含量要求） 说 明 铅 Pb 汞 Hg 镉 Cd 六价铬 Cr(VI) 多溴 联苯 PBB 多溴二 苯醚 PBDE 邻苯二 甲酸酯 DEHP 邻苯二 甲酸丁 苄酯 BBP ≤0.1% ○：表示该元素的含量在 2011/65/EU 标准的限量要求以下。 ×：表示该元素的含量超出 2011/65/EU 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。 无锡华润华晶微电子有限公司 2015V01 2/4 3DD13007 X1 R ○ 特性曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot - T 关系曲线 Ptot (W) Tcase=25℃ 80 1 Ptot-Tcase 60 40 0.1 20 0.01 1 10 100 VCE (V) 0 50 100 T(℃) VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 hFE Ptot-Tamb 0 VCEsat (V) Tamb=25℃ VCE=5V Tamb=25℃ IC/IB=5 1 10 0.1 1 0.01 VBEsat (V) 0.1 1 IC(A) 0.01 0.1 1 IC(A) VBEsat - IC 关系曲线 Tamb=25℃ IC/IB =5 1.2 0.8 0.4 0.1 1 无锡华润华晶微电子有限公司 IC(A) 2015V01 3/4 3DD13007 X1 外形图：TO-220AB R ○ A 最小 9.60 规范值(mm) 最大 10.6 B 15.0 16.0 B1 8.90 9.50 C 4.30 4.80 C1 2.30 3.10 D 1.20 1.40 E 0.70 0.90 F 0.30 0.60 G 1.17 1.37 H 2.70 3.80 N 6.40 6.70 7.20 7.50 12.6 2.34 7.50 7.90 8.00 8.60 14.8 2.74 Q 2.40 3.00 3.50 3.90 项 目 L 包装说明 袋装： 1）产品的小包装，采用 200 只/包的塑料袋包装； 2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。 料条： 1）产品的小包装，采用 50 只/管的料条包装； 2）产品的中包装，采用 20 管/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。 注意事项 1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相 关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效； 避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3）本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 市场营销部 中国江苏无锡市梁溪路 14 号 邮编：214061 网址：http://www. crhj.com.cn 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 E-mail：sales@hj.crmicro.com. 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 无锡华润华晶微电子有限公司 传真：0510-8180 5110 2015V01 4/4