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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 A8 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 结构和少子寿命控制技术， ● 可靠性高 提高了产品的击穿电压、开 应用 关速度和可靠性。 ● 计算机电源 符 号 额定值 单 位 VCEO 400 V IC 12 A Ptot（TC=25℃） 100 W 封装 TO-220AB ● 大功率开关电路 存储条件和焊接温度 内部结构图 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 C 环境温度-10℃～40℃ 1年 265℃ B 相对湿度 ＜85％ E 极限值（除非另有规定，Ta= 25℃） 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流（tp＜5ms） 基极直流电流 基极脉冲电流（tp＜5ms） 符 号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ta=25℃ Tc=25℃ 耗散功率 结温 贮存温度 额定值 700 400 9 12 24 6 12 2 100 150 -55～150 Ptot Tj Tstg 单 位 V V V A A A A W ℃ ℃ 热 阻 参数名称 符号 最小值 典型值 最大值 单位 结到壳的热阻 RθJC 1.25 ℃/W 结到环境的热阻 RθJA 62.5 ℃/W 无锡华润华晶微电子有限公司 2015V01 1/4 3DD13009 A8 R ○ 电特性 (除非另有规定，Ta= 25℃) 参 数 名 称 符 号 集电极-基 极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基 极截止电流 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 共发射极正向电流传输比的静态值 ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFE* 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 hFE1/ hFE2 VCE sat* VBE sat* 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 贮存时间 上升时间 下降时间 ts tr tf 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 0.1 700 400 9 20 35 测 试 条 件 VCB=700V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=3A hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=3A IC=8A, IB=1.6A IC=8A, IB=1.6A 0.75 ◆ts 分档 4~5~6~7μs 1 1.6 7 0.6 0.25 4 UI9600，IC=0.5A fT mA mA mA V V V 0.9 0.45 1 VCE=10V, IC=0.5 A f=1MHz ∗ 脉冲测试，脉冲宽度 tp≤300μs，占空比 δ≤2% 特征频率 单位 4 V V μs μs μs MHz hFE 分档 20~25~30~35 有害物质说明 有毒有害物质或元素 部件名称 铅 汞 镉 六价铬 （含量要求） Pb Hg Cd Cr(VI) 多溴 多溴二 联苯 苯醚 PBB PBDE 邻苯二 甲酸二 异丁酯 DIBP 邻苯二 甲酸酯 邻苯二 邻苯二 甲酸二 甲酸丁 丁酯 苄酯 DBP BBP DEHP ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 × ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○：表示该元素的含量在 2011/65/EU 标准的限量要求以下。 说 明 ×：表示该元素的含量超出 2011/65/EU 标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。 无锡华润华晶微电子有限公司 2015V01 2/4 3DD13009 A8 R ○ 特性曲线 Ptot – Ta 关系曲线 安全工作区（单脉冲） 100 10 DC 100μs 1 1ms 0.1 10ms Ta=25℃ 最大耗散功率 Ptot (W) 集电极电流 IC (A) 100 0.01 With Infinite Heatsink 60 40 20 Without Heatsink 0 1 1000 100 10 0 50 75 100 125 环境温度 Ta (℃) IC-VCE 特性 (典型) hFE-IC 温度特性 (典型) 150 2.5 IB=20mA 0 0 2 4 6 8 共发射极正向电流传输比 hFE 100 Ta=25℃ VCE=5V Ta=125℃ Ta=25℃ 10 Ta= -55℃ 1 10 0.1 集电极-发射极电压 VCE (V) 1 10 100 集电极电流 IC (A) VCEsat-IC 温度特性 (典型) VBEsat-IC 温度特性 (典型) 10 1.5 基极-发射极饱和电压 VBEsat (V) 集电极-发射极饱和电压 VCEsat (V) 25 集电极-发射极电压 VCE (V) 5 集电极电流 IC (A) 80 1 Ta=125℃ Ta=25℃ 0.1 IC/IB=5 0.01 1 10 集电极电流 IC (A) 无锡华润华晶微电子有限公司 100 1 Ta=25℃ Ta=125℃ IC/IB=5 0.5 0.1 1 10 100 集电极电流 IC (A) 2015V01 3/4 3DD13009 A8 外形图：TO-220AB R ○ 项 目 最小 最大 A 9.60 10.6 B 15.0 16.0 B1 8.90 9.50 C 4.30 4.80 C1 2.30 3.10 D 1.20 1.40 E 0.70 0.90 F 0.30 0.60 G 1.17 1.37 H 2.70 3.80 6.40 7.50 6.70 7.90 7.20 8.00 7.50 8.60 L 包装说明 袋装： 1）产品的小包装，采用 200 只/包的塑料袋包装； 2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。 料条： 1）产品的小包装，采用 50 只/管的料条包装； 2）产品的中包装，采用 20 管/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。 规范值(mm) 12.6 14.8 N 2.34 2.74 Q 2.40 3.00 3.50 3.90 注意事项 1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相 关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效； 避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3）本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 市场营销部 中国江苏无锡市梁溪路 14 号 邮编：214061 网址：http://www. crhj.com.cn 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 E-mail：sales@hj.crmicro.com. 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 无锡华润华晶微电子有限公司 传真：0510-8180 5110 2015V01 4/4