CRTM030N04L

- 物料型号: ANICRO CRTM030N04L - 器件简介: 这是一款使用CRM(CQ)先进Trench技术的N-MOSFET，具有极低的导通电阻(RDS(on))，优秀的QgxRDS(on)产品(FOM)，并通过JEDEC标准认证。 - 引脚分配: 封装为DFN5X6，具体引脚分配在文档中有详细的顶视图和底视图。 - 参数特性: - 漏源电压(VDS): 40V - 导通电阻(RDS(on)): 典型值2.1mΩ - 连续漏电流(ID): 80A（25°C时） - 脉冲漏电流(ID pulse): 320A - 门源电压(VGS): ±20V - 功能详解: 包括静态特性、动态特性、体二极管特性、典型性能特性等详细电气特性。 - 应用信息: 适用于电机控制和驱动、电池管理、不间断电源(UPS)等。 - 封装信息: 提供了DFN5X6封装的详细信息，包括尺寸和标记。