CS65L83BP

CS6583 R ○ 非隔离降压型 LED 恒流驱动电路 本资料适用范围：CS6583BBO/CS6583BO/CS6583CBO/CS6583DBO/CS65L83BP 1 概述 CS6583 是一款单电感非隔离降压型 LED 恒流驱动电路，工作在电感电流临界连续 模式下。适用于 85Vac~265Vac 全电压输入范围。电路的工作电流极低，只需要很少的 外围元件。在较大的范围内，系统的输出电流与电感量无关。电路具有优异的线性调整 率和负载调整率，降低系统成本。 CS6583 的主要应用于 LED 蜡烛灯、LED 球泡灯及其它 LED 照明领域。 其特点如下： ● 单电感非隔离降压结构 ● 超低工作电流 ● 宽输入电压 ● 内部集成 500V 高压功率 MOSFET ●±5% LED 输出电流精度 ● LED 开路/短路保护 ● CS 短路保护 ● 过温保护功能 ● 封装形式：SOP8（CS6583BBO、CS6583BO、CS6583CBO、CS6583DBO）； DIP7（CS65L83BP） 2 功能框图与引脚说明 2. 1 功能框图 图 1 功能框图 无锡华润华晶微电子有限公司 第1页 共6页 R ○ CS6583 2. 2 功能描述 CS6583 是 LED 恒流驱动芯片，集成 500V 高压功率管，无需光耦等次级反馈环路， 具有高精度的 LED 恒流输出，极大的节约了成本。电路逐周期检测电感的峰值电流， CS 外接采样电阻 Rcs，内部与 400mV 阈值比较器连接。当功率 MOS 管导通时，CS 端 的电压随着电感电流的上升而上升。当 CS 端电压超过 400mV 时，MOS 管关断，电感 开始放电，电感电流逐渐下降。当电路检测到电感电流降为 0 时，内部逻辑控制 MOS 管重新打开。 2.2.1 启动和 VDD 欠压保护 系统上电后，VDD 电压开始上升。当 VDD 电压上升到 UVLO 开启电压后，系统开 始工作，系统正常工作后，VDD 电压需要降低到 UVLO 关断电压以下，系统才会停止 工作，实现 UVLO 保护功能。 2.2.2 恒流控制 CS6583 采用 BUCK 架构，工作在临界导通模式。LED 输出电流计算公式如下： Io = VREF 2 × RCS 其中，V REF 为CS采样阈值电压（典型值为 400mV） R CS 为电感电流采样电阻 2.2.3 前沿消隐 由于存在寄生电容，MOSFET 在导通瞬间，会产生一个脉冲电流。CS6583 内部集 成有前沿消隐功能，在 MOSFET 导通的瞬间，设计有 350ns 的前沿消隐时间，在这段时 间内，电流比较器停止工作，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转，如下图所示： VCS TLEB=350ns t 图 2 前沿消隐 2.2.4 可调阈值 LED 过压保护 CS6583 集成有 LED 过压保护功能，可以通过设置 VOL 引脚电阻来设置 LED 开路 保护电压，VOL 引脚电压是 0.5V。由于开路电压越高，消磁时间越小，因此可根据需要 设定的开路保护电压由以下公式计算消磁时间： TVOL = L × VCS VOL × RCS 无锡华润华晶微电子有限公司 第2页 共8页 CS6583 R ○ 其中，V CS 是峰值电流检测阈值（400mV）。 V OL 是要设定的过压保护点。 然后根据消磁时间T VOL 来计算VOL电阻，公式如下： R ≈ 16 ∗ TVOL ∗ 10 6 (kΩ) 2.2.5 过温保护 为了避免温度过高而损坏器件，CS6583 内置过温调节功能。当温度过高时，逐渐减 小输出电流，从而控制输出功率和温升，当温度高于 150℃时，将关断芯片并锁定，直 到 VDD 降到欠压保护关断电压，系统重启。系统会不断检测芯片温度，当温度降到 125 ℃以下，系统重启后才能正常工作。 ZCD GATE Toff>4.5us 图 3 最小关断时间 2.2.6 CS 采样电阻异常保护电路 CS6583 集成 CS 采样电阻异常保护，当 LED 短路或者 CS 采样电阻开路/短路发生 时，芯片会立即检查到错误信号，关断功率 MOSFET，并重启系统。 2. 3 引脚排列图 无锡华润华晶微电子有限公司 第3页 共8页 R ○ CS6583 2. 4 引脚说明与结构原理图 引脚 符 号 功 能 属性 1 GND 2 VOL P 3 VDD 电源 4 NC 无连接，悬空 5、6 D 内部高压功率管漏极 O 7（8） CS 电流采样端 I 地 开路保护电压调节端，接电 阻到地 结 构 原 理 图 I P 3 电特性 3. 1 极限参数 除非特别说明，T amb = 25℃ 参 数 名 称 电源电压 功率管漏端 低压模拟端口（CS，ZCD） 符 号 VDD V DRAIN 功耗 P DMAX 热阻 θ JA 工作温度 工作结温 储存温度 ESD（HBM 模型） T OP TJ T STG 额 定 值 -0.3~21 -0.3~500 -0.3~7 0.45（SOP8） 0.9（DIP7） 145（SOP8） 80（DIP7） -40~105 -45~150 -65~150 4 无锡华润华晶微电子有限公司 单 位 V V V W W ℃/W ℃/W ℃ ℃ ℃ kV 第4页 共8页 R ○ CS6583 3. 2 电特性 除非特别说明，T amb = 25℃ 符 号 参 数 电源部分 VDD _CLAMP VDD 钳位电压 VDD _ON VDD 启动电压 电路欠压保护阈值 VDD _UVLO I ST 电路启动电流 I OP 静态工作电流 电流采样部分 V CS_TH 电流检测阈值 T LEB 前沿消隐时间 T DELAY 电路关断延迟 内部时间控制 T OFF_MIN 最小退磁时间 T OFF_MAX 最大退磁时间 T ON_MAX 最大导通时间 V OL VOL 引脚电压 过温保护 T SD 热关断温度 T SD_HYS 过热保护迟滞 功率 MOS 管 V BV 功率管击穿电压 I DISS 功率管漏电流 R ON 导通电阻 （V GS =10V） 条 件 最小 1mA VDD 上升 VDD 下降 V DD =VDD _ST -1V F OP =70kHz 17 14 9 115 95 388 Vgs=0，I DS =250uA Vgs=0，V DS =500V I D =0.4A CS6583BBO I D =0.5A CS6583BO I D =0.5A CS6583CBO I D =1A CS6583DBO I D =1A CS65L83BP 典型 400 350 220 最大 单位 180 150 V V V μA μA 412 mV ns ns 4.5 250 45 0.5 μs μs μs V 150 25 ℃ ℃ 500 14 10 8.5 5 5 1 18 14 12.5 9 9 V μA Ω Ω Ω Ω Ω 4 典型应用线路图 无锡华润华晶微电子有限公司 第5页 共8页 R ○ CS6583 5 封装尺寸与外形图（单位：mm） 5. 1 CS6583BBO/BO/CBO/DBO Symbol Min. Max. Symbol Min. Max. A 4.95 5.15 C3 0.10 0.20 A1 0.37 0.47 C4 0.20TYP A2 1.27TYP D 1.05TYP A3 0.41TYP D1 0.50TYP B 5.80 6.20 R1 0.07TYP B1 3.80 4.00 R2 0.07TYP θ1 17°TYP B2 5.0TYP C 1.30 1.50 θ2 13°TYP C1 0.55 0.65 θ3 4°TYP C2 0.55 0.65 θ4 12°TYP 无锡华润华晶微电子有限公司 第6页 共8页 R ○ CS6583 5. 2 CS65L83BP Symbol Min. Typ. Max. Symbol Min. Typ. Max. A1 6.28 6.33 6.38 E 0.43 0.45 0.47 A2 6.33 6.38 6.43 F 2.54 A3 7.52 7.62 7.72 G 0.25 A4 7.80 8.40 9.00 H 1.54 1.59 1.64 B1 9.15 9.20 9.25 I 3.22 3.27 3.32 B2 9.20 9.25 9.30 R 0.20 C 5.57 M1 9° 10° 11° D 1.52 M2 11° 12° 13° 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 部件名称 有毒有害物质或元素 六价铬 多溴联苯 镉（Cd） +6 （Cr ） （PBB） ○ ○ ○ 引线框 铅 （Pb） ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 汞（Hg） ○ 多溴联苯醚 （PBDE） ○ ○：表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 ×：表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 无锡华润华晶微电子有限公司 第7页 共8页 R ○ CS6583 注意 建议您在使用华晶产品之前仔细阅读本资料。 希望您经常和华晶有关部门进行联系，索取最新资料，因为华晶产品在不断更新和提高。 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知。 本资料仅供参考，华晶不承担任何由此而引起的损失。 华晶不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 市场营销部 中国江苏无锡市梁溪路 14 号 邮编：214061 网址： http://www. crhj.com.cn 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 E-mail： sales@hj.crmicro.com . 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 传真：0510-8180 5110 无锡华润华晶微电子有限公司 第8页 共8页