OPI120TXV

High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Features:  High current transfer ratio  15 kV electrical isolation  Base lead provided for conventional transistor biasing  TX and TXV devices processed to MIL-PRF-19500 Description: Each OPI120TX and OPI120TXV is an op cally coupled isolator that consists of a gallium aluminum arsenide infrared light  emi ng diode (OP235 TX or OP235TXV) and an NPN silicon phototransistor (OP804TX or OP804TXV), which are sealed in a  high dielectric plas c housing.  This series is designed for applica ons that require high voltage isola on between input and  output.    TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa erned a er MIL‐PRF‐19500.   Please refer to Applica on Bulle ns 208 and 210 for addi onal design informa on and reliability (degrada on) data.   Contact your local representa ve or OPTEK for more informa on.   Applications:      Requiring high voltage isolation between input and output Electrical isolation in dirty environments Industrial equipment Medical equipment Office equipment 1   LED    Isola on     IF (mA)   VCE   Lead  Part  Peak    Voltage   CTR   Typ /  (Volts)  Length /  Number  Wavelength  Sensor  (,000)  Min  Max  Max  Spacing  OPI120TX  0.40" /   890 nm   Transistor  15   20   10 / 50  25  0.75"  OPI120TXV  5 Anode Collector Base NPN Trans. 4 Cathode Emitter 3 2 Note: This is an “unsealed view” of the isolator  [ MILLIMETERS] DIMENSIONS ARE IN:    General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc INCHES  OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 1 High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Absolute Maximum Ra ngs (TA = 25° C unless otherwise noted)   Opera ng Temperature Range  ‐65° C to +125° C  Storage Temperature Range  ‐65° C to +150° C  (1) Input‐to‐Output Isola on Voltage   ±15 kVDC    Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6 mm) from the case for 5 seconds with soldering iron]  260° C  Input Diode   Forward DC Current  100 mA  Reverse Voltage  2 V  (2) Power Dissipa on   200 mW  Output Phototransistor  Con nuous Collector Current  50 mA  Collector‐Base Voltage  30 V  Collector‐Emi er Voltage  30 V  Emi er‐Base Voltage  5 V  (3) Power Dissipa on   250 mW  Electrical Characteris cs (TA = 25° C unless otherwise noted)  SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Input Diode (See OP236TX and OP236TXV for addi onal informa on ‐ for reference only)  VF   IR   (4)   Forward Voltage Reverse Current  1.00  1.40  1.70  1.20  1.60  1.90  0.90  1.15  1.50  ‐  0.1  10  IF = 30 mA  V   IF = 30 mA, TA = ‐55° C  IF = 30 mA, TA = 100° C  µA  VR = 2 V  Output Phototransistor (See OP804TX, OP805TX and OP804TXV for addi onal informa on ‐ for reference only)  V(BR)CBO  Collector‐Base Breakdown Voltage  30  40  ‐  V  IC = 100 µA , IE = 0, IF = 0  V(BR)CEO  Collector‐Emi er Breakdown Voltage  30  40  ‐  V  IC = 100 µA , IB = 0, IF = 0  V(BR)EBO  Emi er‐Base Breakdown Voltage  5  ‐  ‐  V  IC = 100 µA , IC = 0, IF = 0  ‐  0.2  100  na  VCE = 10 V, IB = 0, IF = 0  ‐  10  100  µA  VCE = 10 V, IB = 0, IF = 0, TA = 100° C  ‐  0.1  10  nA  VCB = 10 V, IE = 0, IF = 0  IC(OFF)  ICB(OFF)   Collector‐Emi er Dark Current   Collector‐Base Dark Current   Notes:  (1)  Measured with input leads shorted together and output leads shorted together in air with a maximum rela ve humidity of 50%.  If suitably  encapsulated or oil‐immersed, the isola on voltage is increased to at least 25 kV.  (2)  Derate linearly 2.0 mW/° C above 25° C.  (3)  Derate linearly 2.5 mW/° C above 25° C.  (4)  Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents.  General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 2 High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Electrical Characteris cs (TA = 25°C unless otherwise noted)  SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  2.00  ‐  ‐  mA  1.20  ‐  ‐    VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA, TA = ‐55° C  1.20  ‐  ‐    VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA, TA = 100° C  ‐  0.25  0.30  V  IC = 2 mA, IB = 0, IF = 20 mA  15  30  ‐    See note 1.  Combined  IC(ON)   VCE(SAT)  VISO  (1)  On‐State Collector Current    Collector‐Emi er Satura on Voltage  (1) Isola on Voltage (Input to Output)   tr  Output Rise Time  ‐  8  15  tf  Output Fall Time  ‐  8  15  µs   VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA  VCC = 10 V, IC = 2 mA, RL = 100Ω   Notes:  (1)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  change in measurement results.  General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 3