OPI150TX

High Reliability Optically Coupled Isolator OPI150TX, OPI150TXV Features:  High current transfer ratio  50 kV electrical isolation  Base contact lead for conventional transistor biasing  TX and TXV devices processed to MIL-PRF-19500 Description: Each OPI150TX and OPI150TXV is an op cally coupled isolator that consists of a gallium aluminum arsenide infrared light  emi ng diode (OP235TX or OP235TXV) which is op cally coupled to a NPN silicon phototransistor component (OP804TX or  OP804TXV) by means of a light pipe and sealed in a high dielectric plas c housing.    These devices are designed for applica ons that require high voltage isola on between input and output.    TX and TXV device components are processed to OPTEK’s military screening program pa erned a er MIL‐PRF‐19500.   Please refer to Applica on Bulle ns 208 and 210 for addi onal design informa on and reliability (degrada on) data.   Contact your local representa ve or OPTEK for more informa on.   Applications:      Requiring high voltage isolation between input and output Electrical isolation in dirty   LED  environments Part  Peak  Industrial equipment Number  Wavelength   Medical equipment OPI150TX  Office equipment 890 nm   OPI150TXV  * VCE  Isola on       Voltage   CTR   IF (mA)   (Volts)  (,000)  Min / Max  Typ / Max  Max      Sensor  Transistor   50    10 / NA   16 / 50   30   Lead  Length /  Spacing  0.40" / 3.16"    CATHODE LEAD. OTHER LEADS ARE .060 (1.52) NOM LONGER. DIMETNSION ARE IN INCHES (MILLIMETERS) ** THIS DIMENSION IS CONTROLLED AT THE HOUSING SURFACE General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc Pin#  LED  Pin#  Transistor  1  Anode  4  Collector  2  Cathode  3  Emi er  OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 1 High Reliability Optically Coupled Isolator OPI150TX, OPI150TXV Absolute Maximum Ra ngs (TA = 25° C unless otherwise noted)   Opera ng Temperature Range  ‐65° C to +125° C  Storage Temperature Range  ‐65° C to +150° C  (1) Input‐to‐Output Isola on Voltage   ±50 kVDC    260° C  Con nuous Forward Current  100 mA  Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6 mm) from the case for 5 seconds with soldering iron]  Input Diode  Reverse Voltage  2 V  (2) Power Dissipa on   200 mW  Output Photosensor  Con nuous Collector Current  50 mA  Collector‐Base Voltage  50 V  Collector‐Emi er Voltage  50 V  Emi er‐Base Voltage  7 V  (3) Power Dissipa on   250 mW  Electrical Characteris cs (TA = 25° C unless otherwise noted)  SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Input Diode (See OP236TX for addi onal informa on ‐ for reference only)  VF   IR   (5)   Forward Voltage Reverse Current  1.00  1.40  1.70  1.20  1.60  1.90  0.90  1.15  1.50  ‐  0.10  10  IF = 30 mA  V   IF = 30 mA, TA = ‐55° C  IF = 30 mA, TA = 100° C  µA  VR = 2 V  Output Phototransistor (See OP805TX for addi onal informa on ‐ for reference only)  V(BR)CBO  Collector‐Base Breakdown Voltage  50  10  ‐  V  IC = 100 µA , IE = 0, IF = 0  V(BR)CEO  Collector‐Emi er Breakdown Voltage  50  80  ‐  V  IC = 1 mA , IB= 0, IF = 0  V(BR)EBO  Emi er‐Base Breakdown Voltage  7  11  ‐  V  IE = 100 µA , IC = 0, IF = 0  ‐  0.20  100  na  VCE = 10 V, IB = 0, IF = 0  ‐  10  100  µA  VCE = 10 V, IB = 0, IF = 0, TA = 100° C  ‐  0.10  10  nA  VCB = 10 V, IE = 0, IF = 0  ICEO   Collector‐Emi er Dark Current   ICBO   Collector‐Base Dark Current   Notes:  (1)  (2)  (3)  (4)  (5)  Measured with input leads shorted together and output leads shorted together in air with a maximum rela ve humidity of 50%.  Derate linearly 2.00 mW/° C above 25° C.  Derate linearly 2.50 mW/° C above 25° C.  Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents.  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea ng due to increased pulse rate or pulse width can cause change in measurement results.  General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 2 High Reliability Optically Coupled Isolator OPI150TX, OPI150TXV Electrical Characteris cs (TA = 25°C unless otherwise noted)  SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  1.0  ‐  ‐  0.6  ‐  ‐  0.6  ‐  ‐  ‐  0.20  0.30  V  IC = 1 mA, IB = 0, IF = 16 mA  50  ‐  ‐  kV  See note 2.  µs   VCC = 10 V, IC = 2 mA, RL = 100Ω   Combined  IC(ON)   VCE(SAT)  VISO  (1)  On‐State Collector Current   Collector‐Emi er Satura on Voltage  (2) Isola on Voltage (Input to Output)   tr  Output Rise Time  ‐  8  15  tf  Output Fall Time  ‐  8  15  VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA  mA   VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA, TA = ‐55° C  VCE = 5 V, IB = 0, IF = 10 mA, TA = 100° C  Notes:  (1)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  change in measurement results.  (2)  Measured with input leads shorted together and output leads shorted together in air with a maximum rela ve humidity of 50%.  General Note TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at time of going to print. © TT electronics plc OPTEK Technology, Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 www.optekinc.com | www.ttelectronics.com Issue B 11/2016 Page 3