1. 物料型号：
- 型号为PD-95999B IRCZ34PbF，是由International Rectifier公司生产的HEXFET Power MOSFET。
2. 器件简介：
- 第三代HEXFETs提供快速开关、坚固的设备、低电阻和成本效益的最佳组合。HEXSence设备通过额外的两个引脚提供精确的漏极电流分数，可用于控制或保护设备。
3. 引脚分配：
- 器件采用TO-220 HexSense封装，具有5个引脚，包括漏极、源极、门极和两个用于电流感应的引脚。
4. 参数特性：
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：60V
- 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.050Ω
- 门极阈值电压（VGs(th)）：2.0V至4.0V
- 漏极电流（I_D）：30A
- 工作温度：-55至175℃
5. 功能详解：
- HEXSence设备在非电流感应应用中作为快速、高电流开关时，通过消除共源电感问题，提供精确的漏极电流分数。
6. 应用信息：
- 适用于需要快速开关和高电流的应用场合，如电源转换、电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220 HexSense，具有5个引脚，具体尺寸和标记信息在文档中有详细描述。
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