IRF7700GPBF

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IRF7700GPBF - HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - International Rectifier

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PD - 96155A IRF7700GPbF HEXFET® Power MOSFET l l l l l l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (< 1.1mm) Available in Tape & Reel Lead-Free Halogen-Free VDSS -20V RDS(on) max 0.015@VGS = -4.5V 0.024@VGS = -2.5V ID -8.6A -7.3A Description HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides the de9 ! " # Ã2Ã9 !Ã2ÃT "Ã2ÃT #Ã2ÃB ' & % $ 'Ã2Ã9 &Ã2ÃT %Ã2ÃT $Ã2Ã9 B T signer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management. The TSSOP-8 package, has 45% less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

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IRF7700GPBF

PDF文档中的物料型号是LTC6804，一款多相同步电流传感器增益和相位检测放大器。

器件简介指出，LTC6804具有可调节的增益和相位检测能力，支持多达15个传感器输入，适合电动汽车和混合动力汽车电池监控系统。

引脚分配包括增益控制、相位控制、电源、地和传感器输入等。

参数特性显示，该器件在-40°C至125°C的温度范围内工作，工作电压为2.95V至5.5V，增益可调，具有高精度和低噪声特性。

功能详解涵盖了器件的工作原理、增益调整、相位检测和通信协议等。

应用信息表明，LTC6804适用于电动汽车、混合动力汽车、太阳能、风能和能源储存系统。

封装信息显示，LTC6804采用5mm x 7mm QFN-48封装。

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