### 物料型号
- IRFH5301PbF
### 器件简介
IRFH5301PbF是一款N沟道 HEXFET Power MOSFET，适用于12V总线反冲电流的OR-ing MOSFET、Buck转换器的同步MOSFET以及电池操作的直流电机逆变器MOSFET。
### 引脚分配
- 行业标准引脚排列，兼容现有的表面贴装技术。
### 参数特性
- 最大漏源电压（Vps）：30V
- 最大栅源电压（VGS）：±20V
- 最大漏极电流（ID）：在25°C时为35A，70°C时为28A，25°C时为1006A
- 最大功耗（PD）：在25°C时为3.6W，25°C时为110W
- 工作结温（TJ）：-55至+150°C
- 静态漏源导通电阻（RDS(on)）：最大1.85mΩ
- 栅电荷（Qg）：典型值为37nC
- 输入电容（Ciss）：典型值为5114pF
- 输出电容（Coss）：典型值为1017pF
### 功能详解
- 低导通电阻（RDS(on) < 1.85mΩ）
- 低热阻抗至PCB（<1.1°C/W）
- 100% Rg测试
- 低轮廓（<0.9mm）
- 符合RoHS标准，不含铅、溴化物和卤素
- MSL1，工业级认证
### 应用信息
- 降低导通损耗
- 提高功率密度
- 提高可靠性
- 多供应商兼容性
- 更容易制造
- 更环保
- 提高可靠性
### 封装信息
- IRFH5301TRPBF：PQFN 5mm x 6mm，卷带封装，4000粒/卷
- IRFH5301TR2PBF：PQFN 5mm x 6mm，卷带封装，400粒/卷
