物料型号：
- IRFL110
器件简介：
- IRFL110是International Rectifier公司生产的第三代HEXFET® Power MOSFET，具有快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益等特点。
引脚分配：
- SOT-223封装，适用于表面贴装，使用蒸汽、红外线或波峰焊接技术。
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 连续漏极电流（ID @Tc=25°C）：1.5A
- 脉冲漏极电流（IDM）：12A
- 功率耗散（P@Tc=25°C）：3.1W
- 存储温度范围（TJ.TSTG）：-55至+150°C
- 热阻：
- 结到PCB（ReJC）：最大40°C/W
- 结到环境（RaJA）：最大60°C/W
功能详解：
- IRFL110具有快速开关特性，能够在高dv/dt条件下稳定工作，并且易于并联使用。其RDS(on)为0.54Ω，驱动要求简单。
应用信息：
- 适用于需要高功率耗散和快速开关的应用场合，如电源转换、电机控制等。
封装信息：
- SOT-223封装，具有改进的热性能，由于增加了用于散热的散热片，因此在典型的表面贴装应用中可以耗散超过1.25W的功率。
