物料型号：
- 型号：IRFL9110PbF
器件简介：
- IRFL9110PbF是International Rectifier公司生产的第三代HEXFET Power MOSFET，特点是快速开关、结构坚固、低电阻和成本效益。SOT-223封装适用于表面贴装技术，具有改善的热性能，能够实现超过1.25W的功率耗散。
引脚分配：
- 引脚：GATE, DRAIN, SOURCE
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 连续漏极电流(@25°C)：-1.1A
- 功率耗散(@25°C)：3.1W
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 电气特性(@Tj=25°C)：
- 漏源导通电阻(RDS(on))：1.2Ω
- 阈值电压(VGS(th))：-2.0V至-4.0V
- 栅漏电荷(Qgs)：2.2nC
功能详解：
- IRFL9110PbF具有快速开关能力和高耐压保护，适用于需要高效率和高功率密度的应用场合。
应用信息：
- 适用于需要表面贴装和高功率耗散的应用，如电源转换、电机控制和汽车电子。
封装信息：
- SOT-223(TO-261AA)封装，符合EIA-481和EIA-541标准，每卷胶带包含2,500个器件。
