物料型号：
- 型号：IRFZ10
器件简介：
- IRFZ10是International Rectifier公司生产的第三代HEXFET Power MOSFET，提供快速开关、结构坚固、低电阻和高性价比。TO-220封装适用于大约50瓦以下的商业和工业应用。
引脚分配：
- G：Gate（栅极）
- D：Drain（漏极）
- S：Source（源极）
参数特性：
- 漏源电压(V_DSS)：60V
- 静态漏源导通电阻(R_DS(on))：0.20Ω
- 漏极电流(I_D)：10A
功能详解：
- IRFZ10具有快速开关性能、坚固的设备设计、低导通电阻和高性价比。
- TO-220封装因其低热阻和低成本而在业界被广泛接受。
应用信息：
- 适用于需要快速开关和高耐压的商业和工业应用。
封装信息：
- TO-220封装：适用于大约50瓦以下的功率耗散。
- 引脚图示：G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。
- 热阻参数：
- RaC（结到外壳）：最大3.5°C
- Recs（外壳到散热器，平面，涂油表面）：最大0.50°C
- RaA（结到环境）：最大62°C
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