0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
IRG4PC50SDPBF

IRG4PC50SDPBF

  • 厂商:

    IRF

  • 封装:

  • 描述:

    IRG4PC50SDPBF - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE - International...

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IRG4PC50SDPBF 数据手册
PD - 97316 IRG4PC50SDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (
IRG4PC50SDPBF
### 物料型号 - 型号:IRG4PC50SDPbF - 制造商:International Rectifier

### 器件简介 - 类型:ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE - 特点:该器件是与IGBT共封装的HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管,用于桥式配置。 - 封装:行业标准的TO-247AC封装。

### 引脚分配 - Gate (G):门极 - Collector (C):集电极 - Emitter (E):发射极

### 参数特性 - Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V - Continuous Collector Current at Tc=25°C:70A - Continuous Collector Current at Tc=100°C:41A - Pulsed Collector Current:140A - Clamped Inductive Load Current:140A - Diode Continuous Forward Current at Tc=100°C:25A - Diode Maximum Forward Current:280A - Continuous Gate-to-Emitter Voltage:±20V

### 功能详解 - IGBT:第四代IGBT,提供最高效率。 - 优化:IGBT针对特定应用条件优化,HEXFRED二极管针对性能优化,减少或无需抑制。

### 应用信息 - 应用:适用于需要高效率和高性能的电力电子应用,特别是在需要快速软恢复二极管的场合。

### 封装信息 - 封装类型:TO-247AC - 安装扭矩:对于6-32或M3螺丝,从外壳0.063英寸(1.6mm)处,扭矩为10 lbf-in(1.1 N·m)。 - 焊接温度:10秒。
IRG4PC50SDPBF 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“IRG4PC50SDPBF”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货