1. 物料型号：
- 型号为IRLD110PbF，由International Rectifier生产。
2. 器件简介：
- 该器件是第三代HEFET（ HEXFET Power MOSFET），具有快速开关、坚固的设备设计、低电阻和成本效益的最佳组合。
3. 引脚分配：
- 4引脚DIP封装，低成本机器插入式，可以在标准的0.1英寸引脚中心上多层堆叠。
4. 参数特性：
- 漏源电压（V_DSS）：100V
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平门驱动
- 漏源导通电阻（R_DS(on)）：0.54Ω（在Vs=4V和5V时指定）
5. 功能详解：
- 该器件设计用于高达1瓦特的功率耗散水平，双漏极作为热链接到安装表面，以进行功率耗散。
- 工作温度范围为-55℃至+175℃。
6. 应用信息：
- 适用于需要快速开关和高耐压的应用场合。
7. 封装信息：
- 封装类型为DIP，具有4个引脚，适合机器插入和堆叠。
