### 物料型号
- 型号:IRS2103(S)PbF
- 制造商:International Rectifier
### 器件简介
IRS2103是一款高速、高电压的功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖于高侧和低侧的参考输出通道。专有的HVIC和抗锁定CMOS技术使其结构坚固。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑电平。
### 引脚分配
- HIN:高侧栅极驱动输出(HO)的逻辑输入,同相
- LIN:低侧栅极驱动输出(LO)的逻辑输入,反相
- VB:高侧浮动供电
- HO:高侧栅极驱动输出
- VS:高侧浮动供电返回
- VCC:低侧和逻辑固定供电
- LO:低侧栅极驱动输出
- COM:低侧返回
### 参数特性
- VOFFSET:600V最大值
- I0+/-:输入电流,分别为130mA和270mA
- VOUT:输出电压,范围在10V至20V
- ton/off (典型值):开启和关闭延迟时间分别为680ns和150ns
- Deadtime (典型值):交叉传导防止逻辑的死时间,520ns
### 功能详解
IRS2103具备交叉传导防止逻辑,匹配的传播延迟为两个通道,内部设定死时间。高侧输出与HIN输入同相,低侧输出与输入反相。
### 应用信息
适用于需要高侧驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的应用,操作电压高达600V。
### 封装信息
- 8-Lead PDIP
- 8-Lead SOIC