RT1N130X SERIES
〈Transistor〉
Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type
DESCRIPTION
RT1N130X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P130X. RT1N130U
1.6
OUTLINE
DRAWING
RT1N130C
2.5
UNIT:mm
FEATURE
・Built-in bias resistor (R1=1kΩ).
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
① ② ③
0.95
① ② ③
2.9 1.90
1.6 1.0
APPLICATION
Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit.
0.7 0.15 1.1 0.55 0.8 0.16
0~0.1
R1 B (IN)
C (OUT)
JEITA:- JEDEC:- Terminal Connector ①:Base ②:Emitter ③:Collector RT1N130M
2.1 0.425 1.25 0.425
JEITA:SC-59 JEDEC:Similar to TO-236 Terminal Connector ①:Base ②:Emitter ③:Collector RT1N130S
4.0
E (GND)
0.65
0.3
3.0
0~0.1
Equivalent circuit
0.95
0.5
① ② ③
2.0 1.3
14.0
1.0
1.0
0.1 0.45
0.65
1.27 1.27 0.9 0.15 0.4 2.5 ① ② ③
0.7
JEITA:SC-70 JEDEC:- Terminal Connector ①:Base ②:Emitter ③:Collector
0~0.1
JEITA:- JEDEC:- Terminal Connector ①:Emitter ②:Collector ③:Base
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
0.4
RT1N130X SERIES
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
SYMBOL VCBO VEBO VCEO IC I CM PC Tj Tstg PARAMETER Collector to Base voltage Emitter to Base voltage Collector to Emitter voltage Collector current Peak Collector current Collector dissipation(Ta=25℃) Junction temperature Storage temperature RT1N130U RATING RT1N130M RT1N130C 50 6 50 100 200 200 +150 -55~+150
〈Transistor〉
Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type
RT1N130S
UNIT V V V mA mA mW ℃ ℃ LIMIT TYP
150 +150 -55~+150
450
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
SYMBOL V(BR)CEO I CBO hFE VCE(sat) R1 fT PARAMETER C to E break down voltage Collector cut off current DC forward current gain C to E saturation voltage Input resistance Gain band width product TEST CONDITION I C=100μA,RBE=∞ VCB=50V,I E =0 VCE=5V,I C =1mA I C =10mA,I B =0.5mA VCE=6V,I
E
MIN 50 100 0.7
MAX 0.1 0.3 1.3
UNIT V μA - V kΩ MHz
=-10mA
1.0 200
DC forward current gain-Collector current 1000
VCE=5V
Collector current-Input off voltage 1000
VCE=5V
DC forward current gain hFE
100
Collector current IC[uA] 1 10 Collector current IC[mA] 100
100
10
10 0 0.5 1 Input off voltage VI(OFF)[V] 1.5 2
Input on voltage-Collector current 10
VCE=200mV
Input on voltage VI(ON)[V
1
0.1 0.1 1 10 100 Collector current IC[mA]
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2002 年 11 月作成
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