物料型号:
- RT1N250U
- RT1N250M
- RT1N250C
- RT1N250S
器件简介:
RT1N250X系列是一种带有内置偏置电阻的晶体管,用于开关应用的硅NPN外延类型。其中RT1N250C带有内置偏置电阻,PNP型号为RT1P250X。RT1N250X是一颗芯片晶体管。
引脚分配:
- ①:基极(Base)
- ②:发射极(Emitter)
- ③:集电极(Collector)
参数特性:
- 集电极到基极电压(VCBO):50V
- 发射极到基极电压(VEBO):6V
- 集电极到发射极电压(VCEO):50V
- 集电极电流(Ic):100mA
- 峰值集电极电流(IM):200mA
- 集电极耗散(Pc):150mW到450mW(取决于型号)
- 结温(Tj):+150°C
- 存储温度(Tstg):-55°C至+150°C
功能详解:
RT1N250X系列适用于反相电路、开关电路、接口电路和驱动电路。
应用信息:
文档中提到了在电路设计中应首先考虑安全,并采取适当措施以防止半导体产品可能引起的个人伤害、火灾或财产损失。
封装信息:
- JEITA: SC-59
- JEDEC: 类似于TO-236