2N3055A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N3055A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N3055A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055A DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A ·Complement to Type MJ2955A APPLICATIONS ·Designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. It can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers,DC-DC converters, inverters, or for inductive loads. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEV VCEO VEBO IC IB PC TJ Tstg PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE 100 100 60 7 15 7 115 200 -65~200 UNIT V V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.52 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn 1 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VCE(sat)-3 VBE(on) ICEO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Is/b COB fT PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product CONDITIONS IC=200mA ; IB= 0 IC= 4A; IB= 0.4A IC= 10A; IB= 3.3A IC= 15A; IB= 7A IC= 4A ; VCE= 4V VCE= 30V; IB= 0 VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V VCE= 100V; VBE(off)= 1.5V,TC=150℃ VEB= 7.0V; IC= 0 IC= 4A; VCE= 2V IC= 4A; VCE= 4V IC= 10A; VCE= 4V VCE= 60V; t= 0.5s,Nonrepetitive IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz IC= 1A; VCE= 4V; f= 1.0MHz 0.8 10 20 5 1.95 MIN 60 2N3055A MAX UNIT V 1.1 3.0 5.0 1.8 0.7 5.0 30 5.0 70 70 V V V V mA mA mA A 600 pF MHz Switching Times td tr tstg tf Delay Time Rise Time Storage Time Fall Time 0.5 4.0 3.0 6.0 μs μs μs μs IC= 4A; VCC= 30V; IB1= -IB2= 0.4A, tp= 25μs; Duty Cycle≤ 2% isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2N3055A

物料型号： - 型号为2N3055A，是由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

器件简介： - 2N3055A具有优异的安全工作区。 - DC电流增益hFE在4A集电极电流时为20-70。 - 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)最大为1.1V，当集电极电流IC为4A时。 - 是MJ2955A的互补型号。

引脚分配： - 1. 基极(B) - 2. 发射极(E) - 3. 集电极(C)（与外壳相连）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - 集电极-基极电压VcBO：100V - 集电极-发射极电压VCEV：100V - 集电极-发射极电压VCEO：60V - 发射极-基极电压VEBO：7V - 集电极电流-连续IC：15A - 基极电流IB：7A - 集电极功耗耗散@Tc-25°C Pc：115W - 结温TJ：200℃ - 存储温度Tstg：-65~200℃

功能详解和应用信息： - 设计用于高功率音频、步进电机等线性应用。 - 也可用于如继电器或电磁铁驱动器、DC-DC转换器、逆变器或感性负载等功率开关电路。 - 电气特性（TC=25℃除非另有说明）： - 集电极-发射极维持电压VCEO(SUS)：60V - 集电极-发射极饱和电压VcE(sat)：1.1V（IC=4A; IB=0） - 基极-发射极导通电压VBE(on)：1.8V（IC=4A; VcE=4V） - 集电极截止电流IcEO：0.7mA（Vce=30V; IB=0） - 发射极截止电流IEBO：5.0mA（VEB=7.0V; Ic=0） - DC电流增益hFE：10-70（IC=4A; VcE=2V） - 输出电容CoB：600pF（VcB=10V; f=1.0MHz） - 电流增益-带宽积fr：0.8MHz（IC=1A; VcE=4V; f=1.0MHz）

封装信息： - 封装为TO-3，具体尺寸参数如下： - A：39.00mm - B：25.30mm到26.67mm - C：7.80mm到8.30mm - D：0.90mm到1.10mm - E：1.40mm到1.60mm - G：10.92mm - H：5.46mm - K：11.40mm到13.50mm - L：16.75mm到17.05mm - N：19.40mm到19.62mm - O：4.00mm到4.20mm - U：30.00mm到30.20mm - V：4.30mm到4.50mm - 热阻Rithj-c：1.52°C/W（结到外壳）

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