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2N3183

2N3183

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N3183 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N3183 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N3183 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -40 -40 -5 -5 75 150 -65~200 UNIT V V V A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL R(th) jc PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.17 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2N3183 MAX UNIT VCEO Collector-emitter sustaining voltage IC=-0.2A ;IB=0 -40 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-1A -1.5 V VBE(on) ICEO Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-4V -2.0 V Collector cut-off current VCE=Rated VCEO; IB=0 -5.0 mA ICBO Collector cut-off current VCB=Rated VCBO; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=-0.3A ; VCE=-4V 30 hFE-2 DC current gain IC=-3A ; VCE=-4V 15 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N3183 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2N3183
物料型号: 2N3183

器件简介: - 封装类型:TO-3 - 特点:优秀的安全工作区、低集电极饱和电压 - 应用:适用于中速开关和放大应用

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-40V - 集电极-发射极电压(VCEO):-40V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(IC):-5A - 集电极功耗(PC):75W(在25℃时) - 结温(Tj):150℃ - 存储温度(Tstg):-65℃至200℃

热特性: - 热阻(R(th)jc):1.17℃/W(从结到外壳)

功能详解: - 在25℃下,除非另有说明,以下是其电气特性: - 集电极-发射极维持电压(VCEO):-40V - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-1.5V - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):-2.0V - 集电极截止电流(ICEO):-5.0mA - 集电极截止电流(IcBO):-0.1mA - 发射极截止电流(IEBO):-1.0mA - 直流电流增益(hFE-1):30(在Ic=-0.3A; VcE=-4V时) - 直流电流增益(hFE-2):15(在Ic=-3A; VcE=-4V时)

封装信息: - 提供了TO-3封装的外形尺寸图,具体尺寸未在文本中详述,但可通过附带的图片链接查看。
2N3183 价格&库存

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