2N4898

2N4898

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N4898 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N4898 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・ With TO-66 package ・ ・Low collector saturation voltage ・Excellent safe operating area ・2N4900 complement to type 2N4912 APPLICATIONS ・Designed for driver circuits,switching and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N4898 2N4899 2N4900 Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N4898 VCBO Collector-base voltage 2N4899 2N4900 2N4898 VCEO Collector-emitter voltage 2N4899 2N4900 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -40 -60 -80 -40 -60 -80 -5 -1.0 -4.0 -1.0 25 150 -65~200 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 7.0 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N4898 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N4899 2N4900 VCEsat VBEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N4898 ICEO Collector cut-off current 2N4899 2N4900 ICEX ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 COB fT Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=-1A; IB=-0.1A IC=-1A ;IB=-0.1A IC=-1A ; VCE=-1V VCE=-20V; IB=0 VCE=-30V; IB=0 VCE=-40V; IB=0 IC=-0.1A ;IB=0 2N4898 2N4899 2N4900 CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -0.6 -1.3 -1.3 V V V -0.5 mA VCE=Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-50mA ; VCE=-1V IC=-500mA ; VCE=-1V IC=-1.0A ; VCE=-1V IE=0;VCB=-10V;f=1MHz IC=-250mA;VCE=-10V 3.0 40 20 10 -0.1 -1.0 -0.1 -1.0 mA mA mA 100 100 pF MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N4898 2N4899 2N4900 Fig.2 outline dimensions 3
2N4898
1. 物料型号: - 型号包括2N4898、2N4899和2N4900,这些是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管具有TO-66封装,低集电极饱和电压和优秀的安全工作区。2N4900是2N4912的补充型号。

3. 引脚分配: - 1号引脚为基极(Base), - 2号引脚为发射极(Emitter), - 3号引脚为集电极(Collector)。

4. 参数特性: - 包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极峰值电流(IcM)、基极电流(IB)、总功率耗散(PD)、结温(Tj)和存储温度(Tstg)。 - 例如,2N4898的VCBO为-40V,VCEO为-40V,VEBO为-5V,Ic为-1.0A,IcM为-4.0A,IB为-1.0A,PD为25W,Tj为150℃,Tstg范围为-65至200℃。

5. 功能详解: - 提供了热阻(Rthjc)为7.0℃/W。 - 还包括了维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VcEsat和VBEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、截止电流(ICEO、ICEx、ICBO、IEBO)、直流电流增益(hFE-1、hFE-2、hFE-3)、输出电容(COB)和转换频率(fr)。

6. 应用信息: - 设计用于驱动电路、开关和放大应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-66封装的简化外形图和符号,以及封装尺寸的图示链接。
2N4898 价格&库存

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