1. 物料型号:
- 型号包括2N5190、2N5191和2N5192,这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介:
- 这些晶体管采用TO-126封装,是2N5193/5194/5195型的补充。它们具有出色的安全工作区域,适用于中等功率的线性和开关应用。
3. 引脚分配:
- PIN 1:发射极(Emitter)
- PIN 2:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base)
- PIN 3:基极(Base)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(在25°C环境温度下):
- 集电极-基极电压(VCBO):2N5190为40V,2N5191为60V,2N5192为80V。
- 集电极-发射极电压(VCEO):开基极时,2N5190为40V,2N5191为60V,2N5192为80V。
- 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为5V。
- 集电极电流(Ic):4A
- 集电极峰值电流(IcM):7A
- 基极电流(1B):1A
- 总功耗(Po):在25°C时为40W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-65至150°C
5. 功能详解:
- 包括热阻(Rthj-c):结到外壳的热阻为3.12°C/W。
- 还包括在不同条件下的参数,如集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICEO、IcBo、IcEx)和发射极截止电流(IEBO)。
6. 应用信息:
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
7. 封装信息:
- 提供了TO-126封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。