1. 物料型号：
- 型号包括2N5190、2N5191和2N5192，这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管采用TO-126封装，是2N5193/5194/5195型的补充。它们具有出色的安全工作区域，适用于中等功率的线性和开关应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1：发射极（Emitter）
- PIN 2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- PIN 3：基极（Base）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：2N5190为40V，2N5191为60V，2N5192为80V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：开基极时，2N5190为40V，2N5191为60V，2N5192为80V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：开集电极时为5V。
- 集电极电流（Ic）：4A
- 集电极峰值电流（IcM）：7A
- 基极电流（1B）：1A
- 总功耗（Po）：在25°C时为40W
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-65至150°C
5. 功能详解：
- 包括热阻（Rthj-c）：结到外壳的热阻为3.12°C/W。
- 还包括在不同条件下的参数，如集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）、集电极-发射极饱和电压（VCEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（ICEO、IcBo、IcEx）和发射极截止电流（IEBO）。
6. 应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
7. 封装信息：
- 提供了TO-126封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。
