2N5429

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5429 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION ·Contunuous Collector Current-IC= 7A ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC TJ Tstg PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE 100 100 6 7 1 40 200 -65~200 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 4.37 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 ICBO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain Current Gain-Bandwidth Product CONDITIONS IC= 50mA; IB= 0 IC= 2A; IB= 0.2A IC= 7A; IB= 0.7A IC= 2A; IB= 0.2A IC= 7A; IB= 0.7A VCB= 100V; IE= 0 VCE= 90V; VBE(off)= -1.5V VCE= 90V; VBE(off)= -1.5V,TC=150℃ VEB= 6V; IC= 0 IC= 0.5A ; VCE= 2V IC= 2A; VCE= 2V IC= 5A; VCE= 2V IC= 0.5A; VCE= 10V; f=10MHz 30 30 20 20 MIN 100 2N5429 MAX UNIT V 0.7 1.2 1.2 2.0 0.1 0.1 1.0 0.1 V V V V mA mA mA 120 MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2N5429

1. 物料型号：2N5429

2. 器件简介： - 该器件是一个NPN型功率晶体管，适用于开关和宽带放大应用。 - 连续集电极电流IC为7A。 - 低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)最大值为1.2V（在IC=7A时）。 - 具有广泛的安全工作区域。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: EMITTER（发射极） - PIN 3: COLLECTOR(CASE)（集电极，带散热片）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VcBO：100V - 集电极-发射极电压VCEO：100V - 发射极-基极电压VEBO：6V - 连续集电极电流Ic：7A - 连续基极电流IB：1A - 集电极功率耗散Pc（在Tc=25°C时）：40W - 结温TJ：200°C - 存储温度Tstg：-65°C至200°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于开关和宽带放大应用，具有低饱和电压和高电流承载能力。

6. 应用信息： - 设计用于开关和宽带放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-66。 - 封装尺寸参数如下： - A: 31.40mm至31.80mm - B: 17.30mm至17.70mm - C: 6.70mm至7.10mm - D: 0.70mm至0.90mm - E: 1.40mm至1.60mm - G: 5.08mm - H: 2.54mm - K: 9.80mm至10.20mm - L: 14.70mm至14.90mm - N: 12.40mm至12.60mm - O: 3.60mm至3.80mm - U: 24.30mm至24.50mm - V: 3.50mm至3.70mm

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