2N5494

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5494 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496 DESCRIPTION ・With TO-220 package ・High power dissipation APPLICATIONS ・For used in medium power and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N5490/5494 VCBO Collector-base voltage 2N5492 2N5496 2N5490/5494 VCEO Collector-emitter voltage 2N5492 2N5496 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 75 90 40 55 70 5 7 3 50 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 2.5 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5490/5494 VCEO(SUS) Collector-emitter sustioning voltage 2N5492 2N5496 2N5490 Collector-emitter saturation voltage 2N5492 2N5494 2N5496 2N5490 2N5492 VBE Base-emitter on voltage 2N5494 2N5496 2N5492 ICEV Collector cut-off current 2N5490/5494 2N5496 ICER IEBO Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5490 2N5492 hFE DC current gain 2N5494 2N5496 fT Transition frequency 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496 CONDITIONS MIN 40 TYP. MAX UNIT IC=0.1A ;IB=0 55 70 V IC=2.0A;IB=0.2A IC=2.5A;IB=0.25A 1.0 IC=3.0A;IB=0.3A IC=3.5A;IB=0.35A IC=2.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V IC=3.0A ; VCE=4V IC=3.5A ; VCE=4V VCE=70V;VBE=1.5V VCE=55V;VBE=1.5V VCE=85V;VBE=1.5V VCE=Rated VCEO;RBE=100Ω VEB=5V; IC=0 IC=2.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V 20 IC=3.0A ; VCE=4V IC=3.5A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=4V 0.8 MHz 100 0.5 1.0 mA mA 1.0 mA 1.1 1.3 V 1.5 1.7 V VCEsat 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N5494

1. 物料型号： - 2N5490、2N5492、2N5494、2N5496

2. 器件简介： - 这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，采用TO-220封装，具有高功率耗散能力，适用于中等功率和放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：2N5490/5494为60V，2N5492为75V，2N5496为90V - VCEO（集电极-发射极电压）：2N5490/5494为40V，2N5492为55V，2N5496为70V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流）：7A - Ib（基极电流）：3A - PT（总功率耗散）：50W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65~150°C - 热特性： - Rthj-c（从结到外壳的热阻）：2.5°C/W

5. 功能详解： - 这些晶体管在Tj=25℃的条件下工作，除非另有说明。 - 包括了集电极-发射极饱和电压（VcEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（IcEv）、发射极截止电流（IEBO）、电流增益（hFE）和转换频率（fr）等参数。

6. 应用信息： - 用于中等功率和放大器应用。

7. 封装信息： - TO-220封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。

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