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2N5607

2N5607

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N5607 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5607 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-66 package ・Excellent safe operating area ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For general-purpose amplifier ; and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N5605 2N5607 2N5609 2N5611 Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N5605 VCBO Collector-base voltage 2N5607/5609 2N5611 2N5605 VCEO Collector-emitter voltage 2N5607/5609 2N5611 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -80 -100 -120 -60 -80 -100 -5 -5 25 150 -65~150 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.37 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5605 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5607/5609 2N5611 VCEsat VBE ICBO ICEO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5605/5609 hFE DC current gain 2N5607/5611 2N5605/5609 fT Transition frequency 2N5607/5611 2N5605 2N5607 2N5609 2N5611 CONDITIONS MIN -60 TYP. MAX UNIT IC=50mA ;IB=0 -80 -100 V IC=-1A; IB=-0.1A IC=-2.5A ; VCE=-5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VCE= Rated VCEO,IB=0 VEB=-5V; IC=0 70 IC=-2.5A ; VCE=-5V 30 70 IC=-0.5A ; VCE=-10V 60 -0.5 -1.5 -0.1 -1.0 -0.1 200 90 V V mA mA mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5605 2N5607 2N5609 2N5611 Fig.2 outline dimensions 3
2N5607
1. 物料型号: - 2N5605、2N5607、2N5609、2N5611

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-66封装,具有优异的安全工作区和低集电极饱和电压,适用于通用放大和开关应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2N5605为-80V,2N5607/5609为-100V,2N5611为-120V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2N5605为-60V,2N5607/5609为-80V,2N5611为-100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(Ic):-5A。 - 总功率耗散(P0):25W(在25°C时)。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65至150°C。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管适用于25°C下的工作条件,除非另有说明。它们的主要参数包括集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VcEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE)和转换频率(fT)。

6. 封装信息: - 提供了2N5605、2N5607、2N5609、2N5611的外形尺寸图,展示了TO-66封装的详细尺寸。
2N5607 价格&库存

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