1. 物料型号:
- 2N5606、2N5608、2N5610、2N5612
2. 器件简介:
- 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-66封装,具有优秀的安全工作区域和低集电极饱和电压。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VCBO(集电极-基极电压):2N5606为80V,2N5608/5610为100V,2N5612为120V
- VCEO(集电极-发射极电压):2N5606为60V,2N5608/5610为80V,2N5612为100V
- VEBO(发射极-基极电压):5V
- Ic(集电极电流):5A
- Po(总功率耗散):在Tc=25°C时为25W
- T(结温):150°C
- Tstg(储存温度):-65~150°C
- 热特性:
- Rthj-c(结到外壳的热阻):4.37°C/W
- 电气特性(Tj=25℃除非另有说明):
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N5606为60V,2N5608/5610为80V,2N5612为100V
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):在Ic=1A;Ib=0.1A时为0.5V
- VBE(基极-发射极导通电压):在Ic=2.5A;VcE=5V时为1.5V
- ICBO(集电极截止电流):在Vca=额定VCBO;Ie=0时为0.1mA
- ICEO(集电极截止电流):在VcE=额定VCEO,Ib=0时为1.0mA
- IEBO(发射极截止电流):在VEB=5V;Ic=0时为0.1mA
- hFE(直流电流增益):2N5606/5610在Ic=2.5A;VcE=5V时为70-200,2N5608/5612在Ic=2.5A;VcE=5V时为30-90
- fT(转换频率):2N5606/5610在Ic=0.5A;VcE=10V时为70MHz,2N5608/5612为60MHz
5. 功能详解:
- 这些晶体管适用于通用放大器和开关应用。
6. 应用信息:
- 适用于通用放大器和开关应用。
7. 封装信息:
- TO-66封装,具体尺寸见图2。