2N5612

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5612 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5606 2N5608 2N5610 2N5612 DESCRIPTION ・With TO-66 package ・Excellent safe operating area ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For general-purpose amplifier ; and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N5606 VCBO Collector-base voltage 2N5608/5610 2N5612 2N5606 VCEO Collector-emitter voltage 2N5608/5610 2N5612 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 80 100 120 60 80 100 5 5 25 150 -65~150 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.37 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5606 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5608/5610 2N5612 VCEsat VBE ICBO ICEO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5606/5610 hFE DC current gain 2N5608/5612 2N5606/5610 fT Transition frequency 2N5608/5612 2N5606 2N5608 2N5610 2N5612 CONDITIONS MIN 60 TYP. MAX UNIT IC=50mA ;IB=0 80 100 V IC=1A; IB=0.1A IC=2.5A ; VCE=5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VCE= Rated VCEO,IB=0 VEB=5V; IC=0 70 IC=2.5A ; VCE=5V 30 70 IC=0.5A ; VCE=10V 60 0.5 1.5 0.1 1.0 0.1 200 90 V V mA mA mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5606 2N5608 2N5610 2N5612 Fig.2 outline dimensions 3

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2N5612

1. 物料型号： - 2N5606、2N5608、2N5610、2N5612

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-66封装，具有优秀的安全工作区域和低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：2N5606为80V，2N5608/5610为100V，2N5612为120V - VCEO（集电极-发射极电压）：2N5606为60V，2N5608/5610为80V，2N5612为100V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流）：5A - Po（总功率耗散）：在Tc=25°C时为25W - T（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-65~150°C - 热特性： - Rthj-c（结到外壳的热阻）：4.37°C/W - 电气特性（Tj=25℃除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5606为60V，2N5608/5610为80V，2N5612为100V - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=1A;Ib=0.1A时为0.5V - VBE（基极-发射极导通电压）：在Ic=2.5A;VcE=5V时为1.5V - ICBO（集电极截止电流）：在Vca=额定VCBO;Ie=0时为0.1mA - ICEO（集电极截止电流）：在VcE=额定VCEO,Ib=0时为1.0mA - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=5V;Ic=0时为0.1mA - hFE（直流电流增益）：2N5606/5610在Ic=2.5A;VcE=5V时为70-200，2N5608/5612在Ic=2.5A;VcE=5V时为30-90 - fT（转换频率）：2N5606/5610在Ic=0.5A;VcE=10V时为70MHz，2N5608/5612为60MHz

5. 功能详解： - 这些晶体管适用于通用放大器和开关应用。

6. 应用信息： - 适用于通用放大器和开关应用。

7. 封装信息： - TO-66封装，具体尺寸见图2。

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