1. 物料型号:
- 2N5613、2N5615、2N5617、2N5619
2. 器件简介:
- 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-3封装,具有优异的安全工作区域和低集电极饱和电压。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VCBO(集电极-基极电压):2N5613为-80V,2N5615/5617为-100V,2N5619为-120V
- VCEO(集电极-发射极电压):2N5613为-60V,2N5615/5617为-80V,2N5619为-100V
- VEBO(发射极-基极电压):-5V
- Ic(集电极电流):-5A
- Po(总功率耗散):50W(Tc=25°C)
- TJ(结温):150°C
- Tstg(存储温度):-65~150°C
- 热特性:
- Rthj-c(结到外壳的热阻):1.5°C/W
5. 功能详解:
- 这些晶体管在Tj=25℃的条件下,具有以下特性:
- VCEO(SUS)(集电极-发射极电压):2N5613为-60V,2N5615/5617为-80V,2N5619为-100V
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):-0.5V(Ic=-1A; IB=-0.1A)
- VBE(基极-发射极电压):-1.5V(Ic=-2.5A; Vc=-5V)
- ICBO(集电极截止电流):-0.1mA(VcB=额定VcBo; IE=0)
- ICEO(集电极截止电流):-1.0mA(VcE=额定VcEo, IB=0)
- IEBO(发射极截止电流):-0.1mA(VEB=-5V; Ic=0)
- hFE(直流电流增益):2N5613/5617为70~200,2N5615/5619为30~90
- fT(过渡频率):2N5613/5617为70MHz,2N5615/5619为60MHz
6. 应用信息:
- 这些晶体管适用于通用放大器和开关应用。