2N5627

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5627 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Excellent safe operating area ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For audio and general-purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N5621 VCBO Collector-base voltage 2N5623/5625 2N5627 2N5621 VCEO Collector-emitter voltage 2N5623/5625 2N5627 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -80 -100 -120 -60 -80 -100 -5 -10 100 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.5 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5621 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5623/5625 2N5627 VCEsat VBE ICBO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5621/5625 hFE DC current gain 2N5623/5627 2N5621/5625 fT Transition frequency 2N5623/5627 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 CONDITIONS MIN -60 TYP. MAX UNIT IC=-50mA ;IB=0 -80 -100 V IC=-10A; IB=-1A IC=-5A ; VCE=-5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=-5V; IC=0 70 IC=-5A ; VCE=-5V 30 40 IC=-1A ; VCE=-12V 30 -1.5 -1.5 -0.1 -0.1 200 90 V V mA mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 Fig.2 outline dimensions 3

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2N5627

1. 物料型号： - 2N5621、2N5623、2N5625、2N5627

2. 器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，具有优异的安全工作区域和低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2N5621为-80V，2N5623/5625为-100V，2N5627为-120V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：2N5621为-60V，2N5623/5625为-80V，2N5627为-100V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。 - 集电极电流（Ic）：-10A。 - 总功率耗散（Po）：100W（在Tc=25°C时）。 - 结温（TJ）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C。

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：2N5621为-60V，2N5623/5625为-80V，2N5627为-100V。 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-1.5V（在Ic=-10A; IB=-1A时）。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.5V（在Ic=-5A; Vc=-5V时）。 - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA（在Vca=额定VCBO; le=0时）。 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA（在VEB=-5V; Ic=0时）。 - 直流电流增益（hFE）：2N5621/5625为70至200，2N5623/5627为30至90。 - 过渡频率（fr）：2N5621/5625为40MHz，2N5623/5627为30MHz。

6. 应用信息： - 适用于音频和通用应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2。

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