2N5634

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5634 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N5634 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5632 2N5633 2N5634 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・High DC current gain APPLICATIONS ・For general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N5632 VCBO Collector-base voltage 2N5633 2N5634 2N5632 VCEO Collector-emitter voltage 2N5633 2N5634 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 100 120 140 100 120 140 7 10 150 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.1 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5632 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5633 2N5634 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N5632 ICEO Collector cut-off current 2N5633 2N5634 ICEV IEBO Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5632 hFE DC current gain 2N5633 2N5634 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=20V IC=5A ; VCE=5V IC=7A; IB=0.7A IC=10A ;IB=2A IC=10A ;IB=2A IC=5A ; VCE=5V VCE=50V; IB=0 VCE=60V; IB=0 VCE=70V; IB=0 IC=0.2A ;IB=0 CONDITIONS 2N5632 2N5633 2N5634 MIN 100 120 140 TYP. MAX UNIT V 1.0 3.0 2.5 1.5 V V V V 1.0 mA VCE=ratedVCB; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VEB=7V; IC=0 25 20 15 1.0 1.0 5.0 1.0 100 80 60 mA mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5632 2N5633 2N5634 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2N5634

1. 物料型号： - 2N5632、2N5633、2N5634

2. 器件简介： - 这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装。特点是低集电极饱和电压和高直流电流增益，适用于通用功率放大和开关应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：2N5632为100V，2N5633为120V，2N5634为140V - VCEO（集电极-发射极电压）：开基极时，2N5632为100V，2N5633为120V，2N5634为140V - VEBO（发射极-基极电压）：开集电极时为7V - Ic（集电极电流）：10A - PD（总功率耗散）：在Tc=25°C时为150W - T（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-65~200°C - 热特性： - Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.1°C/W - 特性（Tj=25℃除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5632为100V，2N5633为120V，2N5634为140V - VCEsat-1（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=7A;IB=0.7A时为1.0V - VCEsat-2（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=10A;IB=2A时为3.0V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=10A;IB=2A时为2.5V - VBE（基极-发射极导通电压）：在Ic=5A;VcE=5V时为1.5V - ICEO（集电极截止电流）：2N5632为1.0mA，2N5633和2N5634分别为不同电压下的截止电流 - IcEv（集电极截止电流）：在Vce=额定VcB; VBE(ot)=1.5V Tc=150°C时为1.0~5.0mA - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=7V;Ic=0时为1.0mA - hFE（直流电流增益）：2N5632为25~100，2N5633为20~80，2N5634为15~60 - fr（过渡频率）：在Ic=1A;VcE=20V时为1.0MHz

5. 功能详解： - 这些晶体管设计用于功率放大和开关应用，具有低集电极饱和电压和高直流电流增益，能够在高功率条件下工作。

6. 应用信息： - 适用于通用功率放大和开关应用。

7. 封装信息： - TO-3封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。

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