2N5738

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5738 - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载2N5738.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N5738 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5738 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= -100V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC TJ Tstg PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @TC=100℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE -100 -100 -5 -10 -20 -4 50 150 -65~200 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 0.5 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat) VBE(on) ICEO ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product CONDITIONS IC= -200mA ; IB= 0 IC= -5A; IB= -0.5A IC= -10A; IB= -2.5A IC= -5A; IB= -0.5A IC= -4A; VCE= -4V VCE= -100V; IB= 0 VCB= -100V; IE= 0 VEB= -5V; IC= 0 IC= -5A; VCE= -5V IC= -10A; VCE= -5V IC= -0.5A; VCE= -10V 20 4 10 MIN -100 2N5738 MAX UNIT V -0.5 -3.0 -1.2 -1.5 -0.5 -0.1 -0.1 80 V V V V mA mA mA MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

下载 PDF

2N5738

物料型号： - 型号为2N5738，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

器件简介： - 2N5738是一款硅PNP功率晶体管，设计用于通用功率放大和开关应用。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: EMITTER（发射极） - PIN 3: COLLECTOR（集电极，也是外壳）

参数特性： - 集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）：最小值-100V - 低集电极饱和电压（VCE(sat)）：最大值-0.5V，@ Ic=-5A - 集电极-基极电压（VcBO）：-100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-100V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极连续电流（Ic）：-10A - 集电极峰值电流（ICM）：-20A - 基极连续电流（IB）：-4A - 集电极功率耗散@Tc=100°C（Pc）：50W - 结温（TJ）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65~200°C

功能详解： - 2N5738具有宽范围的安全工作区域，适用于需要高电压和大电流的应用场合。

应用信息： - 设计用于通用功率放大和开关应用。

封装信息： - 采用TO-3封装。 - 封装尺寸参数如下： - A: 39.00mm - B: 25.30mm至26.67mm - C: 7.80mm至8.30mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.40mm至1.60mm - G: 10.92mm - H: 5.46mm - K: 11.40mm至13.50mm - L: 16.75mm至17.05mm - N: 19.40mm至19.62mm - Q: 4.00mm至4.20mm - U: 30.00mm至30.20mm - V: 4.30mm至4.50mm

2N5738 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N5738”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2N5738

相关技术文章