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2N5743

2N5743

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N5743 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N5743 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5743 2N5744 DESCRIPTION ・With TO-66 package ・Low collector saturation voltage ・Fast switching speed APPLICATIONS ・For general–purpose switching and power amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 l Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO PARAMETER 2N5743 Collector-base voltage 2N5744 2N5743 VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Collector-emitter voltage 2N5744 Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=100℃ Open collector Open base -100 -5 -20 25 150 -65~200 V A W ℃ ℃ Open emitter -100 -60 V CONDITIONS VALUE -60 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.875 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5743 IC=-0.2A ;IB=0 2N5744 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat VBE ICBO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 fT Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency IC=-10A; IB=-1A IC=-20A ;IB=-4A IC=-10A; IB=-1A IC=-10A ; VCE=-5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VEB=-5V; IC=0 IC=-10A ; VCE=-5V IC=-20A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-10V CONDITIONS 2N5743 2N5744 MIN -60 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage V -100 -1.0 -3.0 -1.8 -1.5 -0.1 -0.5 -5.0 -1.0 20 10 10 MHz 80 V V V V mA mA mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5743 2N5744 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2N5743
1. 物料型号: - 型号为2N5743和2N5744,由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-66封装,低集电极饱和电压和快速开关速度。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2N5743和2N5744的集电极-基极电压(VCBO)分别为-60V和-100V。 - 2N5743和2N5744的集电极-发射极电压(VCEO)分别为-60V和-100V。 - 发射极-基极电压(VEBO)为-5V。 - 集电极电流(Ic)为-20A。 - 集电极功耗(Pc)在Tc=100°C时为25W。 - 结温(T)为150°C。 - 存储温度(Tstg)范围为-65至200°C。 - 热特性: - 结到外壳的热阻(Rthjc)为0.875°C/W。

5. 功能详解: - 包括维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极饱和电压(VBEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE)和过渡频率(fT)等参数。

6. 应用信息: - 适用于通用开关和功率放大应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-66封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图,未标明的公差为±0.1mm。
2N5743 价格&库存

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