1. 物料型号：
- 型号为2N5804和2N5805，由Inchange Semiconductor生产，是硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管具有TO-3封装，高击穿电压，适用于开关调节器、逆变器、电磁和继电器驱动以及电机控制等应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Emitter（发射极）
- PIN 3: Collector（集电极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N5804为300V，2N5805为375V
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5804在开路基极时为225V，2N5805为300V
- VEBO（发射极-基极电压）：开路集电极时为6V
- Ic（集电极电流）：5A
- PD（总功率耗散）：在Tc=25°C时为110W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-65至200°C
- 热特性：
- Rthj-e（结到外壳的热阻）：1.25°C/W
- 特性（在Tj=25°C时，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5804为225V，2N5805为300V
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=5A，IB=1A时为1.0V
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=5A，IB=1A时为1.5V
- ICEO（集电极截止电流）：在VcE=额定VcE，IB=0时为10mA
- IcEV（集电极截止电流）：2N5804在Vce=额定VcE，VBE(ot)=1.5V时为12mA，2N5805为10mA
- IEBO（发射极截止电流）：在VEB=7V，Ic=0时为1.0mA
- hFE（直流电流增益）：在Ic=5A，VcE=4V时为20至100
- fr（过渡频率）：在Ic=1A，VcE=10V时为15MHz
5. 功能详解：
- 这些晶体管设计用于高功率应用，具有高电压和电流承受能力，适用于需要高电流驱动和高电压耐受的应用场合。
6. 应用信息：
- 适用于开关调节器、逆变器、电磁和继电器驱动以及电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。
工商网监
湘ICP备2023018690号
