物料型号:
- 2N5838
- 2N5839
- 2N5840
器件简介:
- 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装。
- 特点包括低集电极饱和电压和高击穿电压。
引脚分配:
- PIN 1: Base(基极)
- PIN 2: Emitter(发射极)
- PIN 3: Collector(集电极)
参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VcBO(集电极-基极电压):2N5838为275V,2N5839为300V,2N5840为375V。
- VCEO(集电极-发射极电压):2N5838为250V,2N5839为275V,2N5840为350V。
- VEBO(发射极-基极电压):6V。
- lc(集电极电流):3A。
- Po(总功率耗散):100W(Tc=25°C)。
- T(结温):150°C。
- Tstg(存储温度):-65~200°C。
- 热特性:
- Rinj-c(结到外壳的热阻):1.25°C/W。
功能详解和应用信息:
- 这些晶体管适用于开关电源和其他感性开关电路。
封装信息:
- 提供了TO-3封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图(未标明的公差:±0.1mm)。