1. 物料型号：
- 2N5867
- 2N5868
2. 器件简介：
- 2N5867和2N5868是硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，低集电极饱和电压，适用于中速开关和放大应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N5867为-60V，2N5868为-80V
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5867为-60V，2N5868为-80V
- VEBO（发射极-基极电压）：-5V
- Ic（集电极电流）：-5A
- PD（总功率耗散）：87.5W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-65~200°C
- 热特性：
- Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.17°C/W
- 特性（在Tj=25°C下，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5867和2N5868分别为-60V和-80V
- VEsat（集电极-发射极饱和电压）：-1.0V
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）：-1.5V
- IcBo（集电极截止电流）：-1.0mA
- ICEO（集电极截止电流）：2N5867为-2.0mA，2N5868为-2.0mA
- IEBO（发射极截止电流）：-1.0mA
- hFE（直流电流增益）：20至100
- fr（晶体管频率）：4MHz
5. 功能详解：
- 2N5867和2N5868适用于中速开关和放大应用，具有低集电极饱和电压，能够在高效率下工作。
6. 应用信息：
- 适用于中速开关和放大应用。
7. 封装信息：
- TO-3封装，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.10mm。
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