1. 物料型号：
- 型号：2N5873 和 2N5874，均为Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管采用TO-3封装，具有低集电极饱和电压，适用于中速开关和放大应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Emitter（发射极）
- PIN 3: Collector（集电极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N5873为60V，2N5874为80V
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5873为60V，2N5874为80V
- VEBO（发射极-基极电压）：5V
- lc（集电极电流）：7A
- Po（功率耗散）：115W（在Tc=25°C时）
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（存储温度）：-65至200°C
- 热特性：
- Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.17°C/W
- 特性（在Tj=25℃时，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5873为60V，2N5874为80V
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V（在lc=5A，IB=0.5A时）
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）：1.5V（在Ic=5A，IB=0.5A时）
- IcBo（集电极截止电流）：1.0mA（在VcB=额定VcBo，IB=0时）
- ICEO（集电极截止电流）：2.0mA（在VcE=30V，IB=0时，对于2N5873；在VcE=40V，IB=0时，对于2N5874）
- IEBO（发射极截止电流）：1.0mA（在VEB=5V，Ic=0时）
- hFE（直流电流增益）：20至100（在Ic=2.5A，VcE=4V时）
- fT（晶体管频率）：4MHz（在Ic=0.5A，VcE=10V时）
5. 功能详解：
- 这些晶体管设计用于中速开关和放大应用，具有低集电极饱和电压，能够在高效率下工作。
6. 应用信息：
- 适用于中速开关和放大应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.10mm。
